新型复合量子阱结构的VCSEL芯片结构及制备方法
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摘要
本发明公开了新型复合量子阱结构的VCSEL芯片结构及制备方法。该VCSEL芯片包括衬底；衬底上依次生长的缓冲层、N型布拉格反射镜、量子阱、氧化层、P型布拉格反射镜以及P型GaAs层；所述量子阱包括依次生长的第一space层、第一外垒层、阱垒层、第二外垒层和第二space层；所述阱垒层包括重叠生长的A1GaAs势垒和InGaAs势阱，所述重叠生长的A1GaAs势垒和InGaAs势阱中包括至少两个不同的A1GaAs势垒或/和至少两个不同的InGaAs势阱。本发明将阱垒重复循环生长方式变更为复合生长方式，生长多个MQW峰值波长，增加了增益谱宽度，更大的温度范围内得到平坦的增益。
基本信息
专利标题 ：
新型复合量子阱结构的VCSEL芯片结构及制备方法
专利标题（英）：
暂无
公开（公告）号 ：
CN112398001A
申请号 ：
CN202011079270.8
公开（公告）日 ：
2021-02-23
申请日 ：
2020-10-10
授权号 ：
CN112398001B
授权日 ：
2022-04-05
发明人 ：
尧舜戴伟杨默张颜儒王青李军张杨
申请人 ：
华芯半导体科技有限公司
申请人地址 ：
江苏省泰州市姜堰区现代科技产业园（群东路南侧）
代理机构 ：
北京清亦华知识产权代理事务所(普通合伙)
代理人 ：
周慧云
优先权 ：
CN202011079270.8
主分类号 ：
H01S5/187
IPC分类号 ：
H01S5/187 H01S5/34 H01S5/343
法律状态
2022-04-05 ：
授权
2021-07-06 ：
专利申请权、专利权的转移
专利申请权的转移IPC(主分类) : H01S 5/187
登记生效日 : 20210623
变更事项 : 申请人
变更前权利人 : 华芯半导体科技有限公司
变更后权利人 : 华芯半导体研究院（北京）有限公司
变更事项 : 地址
变更前权利人 : 225500 江苏省泰州市姜堰区现代科技产业园（群东路南侧）
变更后权利人 : 100020 北京市朝阳区佳汇国际中心B座1107
登记生效日 : 20210623
变更事项 : 申请人
变更前权利人 : 华芯半导体科技有限公司
变更后权利人 : 华芯半导体研究院（北京）有限公司
变更事项 : 地址
变更前权利人 : 225500 江苏省泰州市姜堰区现代科技产业园（群东路南侧）
变更后权利人 : 100020 北京市朝阳区佳汇国际中心B座1107
2021-03-12 ：
实质审查的生效
IPC(主分类) : H01S 5/187
申请日 : 20201010
申请日 : 20201010
2021-02-23 ：
公开
注：本法律状态信息仅供参考，即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
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