嵌入量子点的全彩Micro-LED显示芯片及其制备方法
实质审查的生效
摘要
本发明公开了一种嵌入量子点的全彩Micro‑LED显示芯片及其制备方法。本发明在n型半导体层制备特殊的纳米孔图形阵列，分别在红光Micro‑LED芯片和绿光Micro‑LED芯片的纳米孔图形阵列中注入红色和绿色量子点，提高量子点的色转换效率和芯片的光提取效率。本发明在Micro‑LED芯片表面制备了一种复合介质层。采用ALD技术沉积一层薄的第一介质层，采用PECVD技术沉积一层厚的第二介质层，并且第一介质层和第二介质层的折射率不同，在降低芯片制备成本的同时，有效降低了芯片的非辐射复合几率和漏电流，提高了芯片的光提取效率。
基本信息
专利标题 ：
嵌入量子点的全彩Micro-LED显示芯片及其制备方法
专利标题（英）：
暂无
公开（公告）号 ：
CN114497325A
申请号 ：
CN202210043578.X
公开（公告）日 ：
2022-05-13
申请日 ：
2022-01-14
授权号 ：
暂无
授权日 ：
暂无
发明人 ：
周圣军宫丽艳杜鹏唐斌赵晓宇
申请人 ：
武汉大学
申请人地址 ：
湖北省武汉市武昌区珞珈山武汉大学
代理机构 ：
武汉科皓知识产权代理事务所(特殊普通合伙)
代理人 ：
齐晨涵
优先权 ：
CN202210043578.X
主分类号 ：
H01L33/50
IPC分类号 ：
H01L33/50 H01L33/20 H01L33/44 H01L33/00 B82Y40/00
法律状态
2022-05-31 ：
实质审查的生效
IPC(主分类) : H01L 33/50
申请日 : 20220114
申请日 : 20220114
2022-05-13 ：
公开
注：本法律状态信息仅供参考，即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
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