一种m面InGaN/GaN量子阱LED器件结构的生长方法

专利申请权、专利权的转移

摘要

一种m面InGaN/GaN量子阱LED器件结构的生长方法，利用MOCVD在(100)铝酸锂衬底上合成生长GaN薄膜材料以及InGaN/GaN量子阱LED器件结构，在MOCVD系统中对生长的(100)铝酸锂衬底在500－1050℃温度下进行材料热处理，在一定500－1050℃温度范围通入载气N₂，氨气以及金属有机源，在(100)铝酸锂衬底上合成生长m面的GaN材料，再在该GaN材料上以500－1050℃生长N型层M面GaN，以及分别以700－900℃和600－800℃生长层厚分别为15－20nm和5－15nm的5－10个周期的m面GaN/m面InGaN量子阱结构，最后生长一层m面P型层GaN。

基本信息

专利标题：

一种m面InGaN/GaN量子阱LED器件结构的生长方法

专利标题（英）：

暂无

公开（公告）号：

CN1761080A

申请号：

CN200510094747.9

公开（公告）日：

2006-04-19

申请日：

2005-10-13

授权号：

暂无

授权日：

暂无

发明人：

谢自力张荣韩平刘成祥周圣明修向前刘斌李亮郑有炓顾书林江若琏施毅朱顺明胡立群

申请人：

南京大学

申请人地址：

210093江苏省南京市汉口路22号

代理机构：

南京天翼专利代理有限责任公司

代理人：

汤志武

优先权：

CN200510094747.9

主分类号：

H01L33/00

IPC分类号：

H01L33/00

法律状态

2016-08-10 ：

专利申请权、专利权的转移

专利权的转移号牌文件类型代码 : 1602
号牌文件序号 : 101736872765
IPC(主分类) : H01L 33/00
专利号 : ZL2005100947479
登记生效日 : 20160718
变更事项 : 专利权人
变更前权利人 : 南京大学科技园发展有限公司
变更后权利人 : 南京南大光电工程研究院有限公司
变更事项 : 地址
变更前权利人 : 210093 江苏省南京市汉口路22号费民楼1003
变更后权利人 : 210046 江苏省南京市南京经济技术开发区恒发路28号01幢

2016-06-29 ：

专利申请权、专利权的转移

专利权的转移号牌文件类型代码 : 1602
号牌文件序号 : 101734860877
IPC(主分类) : H01L 33/00
专利号 : ZL2005100947479
登记生效日 : 20160607
变更事项 : 专利权人
变更前权利人 : 南京大学资产经营有限公司
变更后权利人 : 南京大学科技园发展有限公司
变更事项 : 地址
变更前权利人 : 210093 江苏省南京市汉口路22号
变更后权利人 : 210093 江苏省南京市汉口路22号费民楼1003

2016-02-03 ：

专利申请权、专利权的转移

专利权的转移号牌文件类型代码 : 1602
号牌文件序号 : 101727561338
IPC(主分类) : H01L 33/00
专利号 : ZL2005100947479
登记生效日 : 20160115
变更事项 : 专利权人
变更前权利人 : 南京大学
变更后权利人 : 南京大学资产经营有限公司
变更事项 : 地址
变更前权利人 : 210093 江苏省南京市汉口路22号
变更后权利人 : 210093 江苏省南京市汉口路22号

2007-10-17 ：

授权

2006-06-07 ：

实质审查的生效

2006-04-19 ：

公开

注：本法律状态信息仅供参考，即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。

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