沉积设备
授权
摘要

本申请实施例提供了一种沉积设备,该沉积设备包括:壳体、位于壳体的沉积腔室内加热装置、载盘以及位于壳体外的温度检测装置,其中,加热装置用于给载盘进行加热,以通过载盘给衬底加热,沉积腔室沿预设方向划分成M个嵌套分布的温场,温度检测装置包括多个温度检测元件,温度检测元件与温场一一对应,用于检测其对应温场的温度,从而可以通过获取各个温度检测元件检测到的与其对应温场的温度,控制加热装置,使得各温场的温度相同或者在一定的误差范围内,以提高M个温场的温度均匀性,进而提高LED中外延结构生长过程中的波长的均匀性。

基本信息
专利标题 :
沉积设备
专利标题(英):
暂无
公开(公告)号 :
暂无
申请号 :
CN202020905482.6
公开(公告)日 :
暂无
申请日 :
2020-05-26
授权号 :
CN212669854U
授权日 :
2021-03-09
发明人 :
霍丽艳滕龙吴洪浩谢祥彬刘兆
申请人 :
江西乾照光电有限公司
申请人地址 :
江西省南昌市新建区望城新区宁远大街1288号
代理机构 :
北京集佳知识产权代理有限公司
代理人 :
尹秀
优先权 :
CN202020905482.6
主分类号 :
C30B25/10
IPC分类号 :
C30B25/10  C30B25/12  C30B25/16  H01L33/00  
相关图片
IPC结构图谱
C
C部——化学;冶金
C30
晶体生长
C30B
单晶生长;共晶材料的定向凝固或共析材料的定向分层;材料的区熔精炼;具有一定结构的均匀多晶材料的制备;单晶或具有一定结构的均匀多晶材料;单晶或具有一定结构的均匀多晶材料之后处理;其所用的装置
C30B25/00
反应气体化学反应法的单晶生长,例如化学气相沉积生长
C30B25/02
外延层生长
C30B25/10
反应室或衬底的加热
法律状态
2021-03-09 :
授权
注:本法律状态信息仅供参考,即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
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