氧化铝沉积设备及供气方法
授权
摘要
本发明公开一种氧化铝沉积设备，包括三甲基铝储液仓、氩气源、以及依次连通的液体蒸发器控制系统、混气管和反应仓；所述三甲基铝储液仓具有送液管，所述送液管与所述液体蒸发器控制系统连通；所述氩气源具有并联设置的第一送气管和第二送气管；所述第一送气管与所述液体蒸发器控制系统连通，所述第二送气管与所述混气管连通，以向所述混气管中补入氩气，形成通入所述反应仓中的工艺气体。本发明还公开了一种供气方法。通过本发明不仅可以有效降低液体蒸发器控制系统的堵塞概率，而且还能提升镀膜片的品质和生产产能，同时提升沉积设备自动化上下料设备的开机速率。
基本信息
专利标题 ：
氧化铝沉积设备及供气方法
专利标题（英）：
暂无
公开（公告）号 ：
CN112144043A
申请号 ：
CN202010962180.7
公开（公告）日 ：
2020-12-29
申请日 ：
2020-09-14
授权号 ：
CN112144043B
授权日 ：
2022-06-14
发明人 ：
赵环白进谦王朝辉
申请人 ：
晶澳太阳能有限公司
申请人地址 ：
河北省邢台市宁晋县晶龙大街
代理机构 ：
北京市万慧达律师事务所
代理人 ：
张一帆
优先权 ：
CN202010962180.7
主分类号 ：
C23C16/455
IPC分类号 ：
C23C16/455 C23C16/40
IPC结构图谱
C
C部——化学；冶金
C23
对金属材料的镀覆；用金属材料对材料的镀覆；表面化学处理；金属材料的扩散处理；真空蒸发法、溅射法、离子注入法或化学气相沉积法的一般镀覆；金属材料腐蚀或积垢的一般抑制
C23C
对金属材料的镀覆；用金属材料对材料的镀覆；表面扩散法，化学转化或置换法的金属材料表面处理；真空蒸发法、溅射法、离子注入法或化学气相沉积法的一般镀覆
C23C16/00
通过气态化合物分解且表面材料的反应产物不留存于镀层中的化学镀覆，例如化学气相沉积工艺
C23C16/44
以镀覆方法为特征的
C23C16/455
向反应室输入气体或在反应室中改性气流的方法
法律状态
2022-06-14 ：
授权
2021-01-15 ：
实质审查的生效
IPC(主分类) : C23C 16/455
申请日 : 20200914
申请日 : 20200914
2020-12-29 ：
公开
注：本法律状态信息仅供参考，即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
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