一种多路独立供气式PECVD供气沉积系统
授权
摘要

本实用新型公开了一种多路独立供气式PECVD供气沉积系统,其技术方案要点是:包括气相沉积炉,所述气相沉积炉的出料口的一侧安装有烘干箱,所述气相沉积炉的一侧安装有通风组件,所述通风组件的一端连接有加热箱,所述加热箱安装在所述烘干箱的下表面上,所述加热箱内安装有加热丝,所述烘干箱的内侧下表面上安装有第一出风管,所述烘干箱内壁上安装有第一温度传感器,通过加热箱内安装的加热丝有利于对通风组件产生的风进行加热,通过第一出风管从烘干箱的底部散发,通过第二出风管从烘干箱的上方散发,大大提高烘干效率,通过第一温度传感器有利于对烘干箱内部的温度进行监测,提高烘干的精度。

基本信息
专利标题 :
一种多路独立供气式PECVD供气沉积系统
专利标题(英):
暂无
公开(公告)号 :
暂无
申请号 :
CN202122898037.9
公开(公告)日 :
暂无
申请日 :
2021-11-24
授权号 :
CN216550692U
授权日 :
2022-05-17
发明人 :
王硕
申请人 :
苏州光筑激光设备有限公司
申请人地址 :
江苏省苏州市苏州工业园区东旺路8号6幢1楼107室
代理机构 :
无锡科嘉知信专利代理事务所(普通合伙)
代理人 :
陈颖
优先权 :
CN202122898037.9
主分类号 :
C23C16/455
IPC分类号 :
C23C16/455  C23C16/505  C23C16/511  C23C16/52  C23C16/46  F26B15/12  F26B21/00  F26B25/02  F26B25/00  
IPC结构图谱
C
C部——化学;冶金
C23
对金属材料的镀覆;用金属材料对材料的镀覆;表面化学处理;金属材料的扩散处理;真空蒸发法、溅射法、离子注入法或化学气相沉积法的一般镀覆;金属材料腐蚀或积垢的一般抑制
C23C
对金属材料的镀覆;用金属材料对材料的镀覆;表面扩散法,化学转化或置换法的金属材料表面处理;真空蒸发法、溅射法、离子注入法或化学气相沉积法的一般镀覆
C23C16/00
通过气态化合物分解且表面材料的反应产物不留存于镀层中的化学镀覆,例如化学气相沉积工艺
C23C16/44
以镀覆方法为特征的
C23C16/455
向反应室输入气体或在反应室中改性气流的方法
法律状态
2022-05-17 :
授权
注:本法律状态信息仅供参考,即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
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