掺杂的金属氧化物膜和制造该掺杂的金属氧化物膜的系统
专利权的终止
摘要
一种制造掺杂的金属氧化物膜的方法，包括如下步骤：(a)在真空腔室中设置半导体基片；(b)在具有惰性载气的所述腔室中产生至少包括金属(M)、氧(O)和掺杂剂离子的等离子体；(c)由所述等离子体在所述基片上形成掺杂的金属氧化物(MO)膜；以及(d)在步骤(c)中，控制所述等离子体中O离子相对于所述掺杂剂离子的量，以在所述基片上形成n－型MO膜和P－型MO膜中的至少一种。还公开了一种用于制造该掺杂的金属氧化物的系统。
基本信息
专利标题 ：
掺杂的金属氧化物膜和制造该掺杂的金属氧化物膜的系统
专利标题（英）：
暂无
公开（公告）号 ：
CN101142663A
申请号 ：
CN200580045357.0
公开（公告）日 ：
2008-03-12
申请日 ：
2005-11-18
授权号 ：
暂无
授权日 ：
暂无
发明人 ：
P·吴H·龚Z·G·于
申请人 ：
科学技术研究院;新加坡国立大学
申请人地址 ：
新加坡新加坡城
代理机构 ：
北京纪凯知识产权代理有限公司
代理人 ：
沙捷
优先权 ：
CN200580045357.0
主分类号 ：
H01L21/365
IPC分类号 ：
H01L21/365 C23C16/40 C23C16/52
IPC结构图谱
H
H部——电学
H01
基本电气元件
H01L
半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21/00
专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21/02
半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21/04
至少具有一个跃变势垒或表面势垒的器件，例如PN结、耗尽层、载体集结层
H01L21/34
具有H01L21/06，H01L21/16及H01L21/18各组不包含的或有或无杂质，例如掺杂材料的半导体的器件
H01L21/36
半导体材料在基片上的沉积，例如外延生长
H01L21/365
应用气态化合物的还原或分解产生固态凝结物的，即化学沉积
法律状态
2014-01-08 ：
专利权的终止
未缴年费专利权终止号牌文件类型代码 : 1605
号牌文件序号 : 101560122866
IPC(主分类) : H01L 21/365
专利号 : ZL2005800453570
申请日 : 20051118
授权公告日 : 20091223
终止日期 : 20121118
号牌文件序号 : 101560122866
IPC(主分类) : H01L 21/365
专利号 : ZL2005800453570
申请日 : 20051118
授权公告日 : 20091223
终止日期 : 20121118
2009-12-23 ：
授权
2008-05-07 ：
实质审查的生效
2008-03-12 ：
公开
注：本法律状态信息仅供参考，即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
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