用于沉积高纯度氧化锡的有机金属化合物和干法蚀刻所述氧化锡...
公开
摘要
公开了用于沉积高纯度氧化锡的式I：Qx‑Sn‑(A1R1’z)4‑x或式II：Sn(NR2(CH2)nA2)2的特定有机金属化合物，以及使用这种化合物的方法。还公开了可用于沉积高纯度且提高了稳定性的氧化锡的有机金属化合物的组合物。还公开了使用特定蚀刻剂气体干法蚀刻氧化锡的方法和/或使用具有特定添加剂的特定蚀刻剂气体干法蚀刻衬底的方法。
基本信息
专利标题 ：
用于沉积高纯度氧化锡的有机金属化合物和干法蚀刻所述氧化锡薄膜和沉积反应器
专利标题（英）：
暂无
公开（公告）号 ：
CN114630834A
申请号 ：
CN202080061270.7
公开（公告）日 ：
2022-06-14
申请日 ：
2020-08-28
授权号 ：
暂无
授权日 ：
暂无
发明人 ：
D·法布里亚克R·奥德拉W·P·格拉夫S·塞姆贝拉C·康诺弗
申请人 ：
海星化学有限公司
申请人地址 ：
加拿大不列颠哥伦比亚省
代理机构 ：
上海一平知识产权代理有限公司
代理人 ：
高一平
优先权 ：
CN202080061270.7
主分类号 ：
C07F7/22
IPC分类号 ：
C07F7/22 C04B41/91 C23C16/40 C23F1/12
IPC结构图谱
C
C部——化学；冶金
C07
有机化学
C07F
含除碳、氢、卤素、氧、氮、硫、硒或碲以外的其他元素的无环，碳环或杂环化合物
C07F7/00
含周期表第4或14族元素的化合物
C07F7/22
锡化合物
法律状态
2022-06-14 ：
公开
注：本法律状态信息仅供参考，即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
文件下载
暂无PDF文件可下载
