用于非保形沉积含硅膜的组合物和使用该组合物的方法
公开
摘要
一种用于将非保形的含硅和氧的膜沉积到一个或多个衬底上的包括通孔和/或沟槽的表面特征中的原子层沉积方法。
基本信息
专利标题 ：
用于非保形沉积含硅膜的组合物和使用该组合物的方法
专利标题（英）：
暂无
公开（公告）号 ：
CN114365265A
申请号 ：
CN202080063028.3
公开（公告）日 ：
2022-04-15
申请日 ：
2020-09-04
授权号 ：
暂无
授权日 ：
暂无
发明人 ：
王美良王廷敏雷新建
申请人 ：
弗萨姆材料美国有限责任公司
申请人地址 ：
美国亚利桑那州
代理机构 ：
北京市金杜律师事务所
代理人 ：
吴亦华
优先权 ：
CN202080063028.3
主分类号 ：
H01L21/02
IPC分类号 ：
H01L21/02 C23C16/04 C23C16/40 C23C16/455
IPC结构图谱
H
H部——电学
H01
基本电气元件
H01L
半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21/00
专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21/02
半导体器件或其部件的制造或处理
法律状态
2022-04-15 ：
公开
注：本法律状态信息仅供参考，即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
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