膜层沉积设备
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摘要

该实用新型涉及一种膜层沉积设备,包括:腔室;晶圆放置位,设置于腔室内;泵口,设置于腔室内,位于晶圆放置位旁,连通至泵,用于抽取腔室内的气体;泵罩,罩设于泵口,且泵罩顶面密封,侧面设置有通孔,泵通过通孔抽取腔室内的气体。由于在腔室内的泵口处罩设了一个泵罩,在通过泵对腔室内的气体进行抽取时,气流要经过泵罩侧边设置的通孔进入泵口,因此被泵罩所缓冲,不会被泵直接大流量的一次性所抽取,气流更加平缓均匀,因此在这样的腔室内沉积的晶圆表面的膜层,不会由于泵的过猛的抽气作用而使得沉积气体向晶圆边缘分布,不会出现沉积的膜层边缘厚、中心薄的现象,能够沉积出平整度理想的膜层,从而提高晶圆进行膜层沉积加工时的良率。

基本信息
专利标题 :
膜层沉积设备
专利标题(英):
暂无
公开(公告)号 :
暂无
申请号 :
CN201920970118.5
公开(公告)日 :
暂无
申请日 :
2019-06-25
授权号 :
CN210215541U
授权日 :
2020-03-31
发明人 :
林立俞雷张雷曾圣翔郭松辉林宗贤
申请人 :
德淮半导体有限公司
申请人地址 :
江苏省淮安市淮阴区长江东路599号
代理机构 :
上海盈盛知识产权代理事务所(普通合伙)
代理人 :
孙佳胤
优先权 :
CN201920970118.5
主分类号 :
C23C16/44
IPC分类号 :
C23C16/44  
IPC结构图谱
C
C部——化学;冶金
C23
对金属材料的镀覆;用金属材料对材料的镀覆;表面化学处理;金属材料的扩散处理;真空蒸发法、溅射法、离子注入法或化学气相沉积法的一般镀覆;金属材料腐蚀或积垢的一般抑制
C23C
对金属材料的镀覆;用金属材料对材料的镀覆;表面扩散法,化学转化或置换法的金属材料表面处理;真空蒸发法、溅射法、离子注入法或化学气相沉积法的一般镀覆
C23C16/00
通过气态化合物分解且表面材料的反应产物不留存于镀层中的化学镀覆,例如化学气相沉积工艺
C23C16/44
以镀覆方法为特征的
法律状态
2020-03-31 :
授权
注:本法律状态信息仅供参考,即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
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