等离子体活化保形电介质膜沉积

授权

摘要

本发明提供了等离子体活化保形电介质膜沉积。本发明提供了在衬底表面上沉积膜的方法，其包括表面介导反应，在该反应中经过反应物的吸附和反应的一个或多个循环所述膜进行生长。在一个方面中，该方法的特征在于，在吸附和反应的循环之间，间歇性输送掺杂剂物质到膜。

基本信息

专利标题：

等离子体活化保形电介质膜沉积

专利标题（英）：

暂无

公开（公告）号：

CN107342216A

申请号：

CN201710347032.2

公开（公告）日：

2017-11-10

申请日：

2012-08-29

授权号：

CN107342216B

授权日：

2022-05-31

发明人：

尚卡尔·斯娃米纳森乔恩·亨利丹尼斯·M·豪斯曼普拉莫德·苏布拉莫尼姆曼迪亚姆·西里拉姆维什瓦纳坦·兰加拉詹基里斯·K·卡特提格巴特·J·范施拉芬迪克安德鲁·J·麦克罗

申请人：

诺发系统公司

申请人地址：

美国加利福尼亚州

代理机构：

上海胜康律师事务所

代理人：

李献忠

优先权：

CN201710347032.2

主分类号：

H01L21/02

IPC分类号：

H01L21/02 H01L21/3105 H01L21/311 H01L21/762 H01L21/768 C23C16/04 C23C16/44 C23C16/455 C23C16/56 H01L21/336