等离子体沉积装置
授权
摘要
本实用新型提供了等离子体沉积装置，包括腔体、供气系统、等离子体喷枪系统、抽真空系统、射频电源系统和压力控制系统，等离子体喷枪系统包括冷却系统，冷却系统包括第一冷却结构、第二冷却结构，还包括口径调节机构，具备管体、伸缩机构、弹性套，管体一端与第二通孔位于腔体内的端部固定，管体腔内设伸缩机构，多个伸缩机构分布在弹性套周侧且伸缩端与弹性套外周壁固定，弹性套一端开口与第二通孔相对，另端开口朝向腔体内，本等离子体沉积装置在第二通孔处安装口径调节机构，通过伸缩机构调节弹性套的腔道尺寸，从而实现出气口径的调节，使用方便，调节便利。
基本信息
专利标题 ：
等离子体沉积装置
专利标题（英）：
暂无
公开（公告）号 ：
暂无
申请号 ：
CN202020160485.1
公开（公告）日 ：
暂无
申请日 ：
2020-02-10
授权号 ：
CN211497785U
授权日 ：
2020-09-15
发明人 ：
董海青申鹏
申请人 ：
深圳市创智捷科技有限公司
申请人地址 ：
广东省深圳市宝安区航城街道钟屋社区钟屋工业区梅洲五洲电路板厂101号47栋
代理机构 ：
无锡市汇诚永信专利代理事务所(普通合伙)
代理人 ：
汪建华
优先权 ：
CN202020160485.1
主分类号 ：
C23C16/455
IPC分类号 ：
C23C16/455 C23C16/52
相关图片
IPC结构图谱
C
C部——化学；冶金
C23
对金属材料的镀覆；用金属材料对材料的镀覆；表面化学处理；金属材料的扩散处理；真空蒸发法、溅射法、离子注入法或化学气相沉积法的一般镀覆；金属材料腐蚀或积垢的一般抑制
C23C
对金属材料的镀覆；用金属材料对材料的镀覆；表面扩散法，化学转化或置换法的金属材料表面处理；真空蒸发法、溅射法、离子注入法或化学气相沉积法的一般镀覆
C23C16/00
通过气态化合物分解且表面材料的反应产物不留存于镀层中的化学镀覆，例如化学气相沉积工艺
C23C16/44
以镀覆方法为特征的
C23C16/455
向反应室输入气体或在反应室中改性气流的方法
法律状态
2020-09-15 ：
授权
注：本法律状态信息仅供参考，即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
文件下载
1、
CN211497785U.PDF
PDF下载
