微波等离子体化学气相沉积装置
授权
摘要
本实用新型为一种微波等离子体化学气相沉积装置，包括微波源、环形器、功率计、三销钉匹配调节器、模式转换天线、短路活塞、石英窗口、沉积基台、矩形波导、圆波导、水负载和密闭反应腔体；微波源依次与环形器、功率计、三销钉匹配调节器、模式转换天线、矩形波导连接，环形器连接有水负载，矩形波导的末端设置有短路活塞，模式转换天线位于沉积基台的正上方，密闭反应腔体的顶部设置有石英窗口，矩形波导通过模式转换天线下接圆波导再经石英窗口投射入密闭反应腔体中，密闭反应腔体的内部设置有沉积基台，沉积基台上设置有等离子体球。本发明能够利用TM02模式产生较大面积等离子体区域用于沉积金刚石膜，装置结构更加简单，成本更低。
基本信息
专利标题 ：
微波等离子体化学气相沉积装置
专利标题（英）：
暂无
公开（公告）号 ：
暂无
申请号 ：
CN202020320253.8
公开（公告）日 ：
暂无
申请日 ：
2020-03-16
授权号 ：
CN211947216U
授权日 ：
2020-11-17
发明人 ：
朱铧丞杨阳黄卡玛
申请人 ：
四川大学
申请人地址 ：
四川省成都市一环路南一段24号
代理机构 ：
成都东恒知盛知识产权代理事务所(特殊普通合伙)
代理人 ：
何健雄
优先权 ：
CN202020320253.8
主分类号 ：
C23C16/517
IPC分类号 ：
C23C16/517 C23C16/27
IPC结构图谱
C
C部——化学；冶金
C23
对金属材料的镀覆；用金属材料对材料的镀覆；表面化学处理；金属材料的扩散处理；真空蒸发法、溅射法、离子注入法或化学气相沉积法的一般镀覆；金属材料腐蚀或积垢的一般抑制
C23C
对金属材料的镀覆；用金属材料对材料的镀覆；表面扩散法，化学转化或置换法的金属材料表面处理；真空蒸发法、溅射法、离子注入法或化学气相沉积法的一般镀覆
C23C16/00
通过气态化合物分解且表面材料的反应产物不留存于镀层中的化学镀覆，例如化学气相沉积工艺
C23C16/44
以镀覆方法为特征的
C23C16/50
借助放电的
C23C16/517
采用C23C16/503至C23C16/515的两组或更多种方法放电
法律状态
2020-11-17 ：
授权
注：本法律状态信息仅供参考，即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
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