一种微波射频等离子体化学气相沉积装置
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摘要
本实用新型涉及微波等离子体气相沉积技术领域,具体涉及一种微波射频等离子体化学气相沉积装置,包括腔体,所述腔体从上至下依次设置有:电离部,包括电离腔和从上到下依次设置于电离腔顶部的点火装置、进气口和压缩形波导管;气相沉积部,包括气相沉积腔和绕设于气相沉积腔外壁的射频线圈;取放样部,包括取放样腔,所述取放样腔设置有取放样窗口;基台,升降设置于所述腔体内。本实用新型的装置通过设置压缩形波导管配合射频点火装置使反应气体产生电感耦合等离子体效应形成等离体子火炬,并且利用射频线圈来提高等离子体火炬的温度,极大的降低了化学气相沉积生长金刚石过程中的能量消耗,极大的提升了金刚石的生长速率。
基本信息
专利标题 :
一种微波射频等离子体化学气相沉积装置
专利标题(英):
暂无
公开(公告)号 :
暂无
申请号 :
CN201920493795.2
公开(公告)日 :
暂无
申请日 :
2019-04-12
授权号 :
CN209836302U
授权日 :
2019-12-24
发明人 :
刘胜汤朝晖李俊
申请人 :
武汉大学
申请人地址 :
湖北省武汉市武昌区珞珈山武汉大学
代理机构 :
武汉科皓知识产权代理事务所(特殊普通合伙)
代理人 :
石超群
优先权 :
CN201920493795.2
主分类号 :
C23C16/517
IPC分类号 :
C23C16/517 C23C16/27 C23C16/40 C23C16/24 C30B25/00 C30B28/14 C30B29/04
IPC结构图谱
C
C部——化学;冶金
C23
对金属材料的镀覆;用金属材料对材料的镀覆;表面化学处理;金属材料的扩散处理;真空蒸发法、溅射法、离子注入法或化学气相沉积法的一般镀覆;金属材料腐蚀或积垢的一般抑制
C23C
对金属材料的镀覆;用金属材料对材料的镀覆;表面扩散法,化学转化或置换法的金属材料表面处理;真空蒸发法、溅射法、离子注入法或化学气相沉积法的一般镀覆
C23C16/00
通过气态化合物分解且表面材料的反应产物不留存于镀层中的化学镀覆,例如化学气相沉积工艺
C23C16/44
以镀覆方法为特征的
C23C16/50
借助放电的
C23C16/517
采用C23C16/503至C23C16/515的两组或更多种方法放电
法律状态
2019-12-24 :
授权
注:本法律状态信息仅供参考,即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
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