微波等离子体化学气相沉积装置
专利权的终止(未缴年费专利权终止)
摘要
连续在基片上淀积功能膜的激波GVD装置包括膜形成室，该膜形成室具有用腐蚀气体清洗微波输入窗的腐蚀室；所述微波输入窗包括有多个叠置的微波传输窗，其中一个微波传输窗在膜形成空间中裸露，且可在膜形成室与腐蚀室之间运动，以使先前在膜形成室中使用过的微波传输窗被清洗，清洗方式是，在膜形成室中进行形成膜工作的同时，在腐蚀室中用腐蚀气体腐蚀掉淀积在微波传输窗上的膜。
基本信息
专利标题 ：
微波等离子体化学气相沉积装置
专利标题（英）：
暂无
公开（公告）号 ：
CN1043348A
申请号 ：
CN89108774.5
公开（公告）日 ：
1990-06-27
申请日 ：
1989-11-24
授权号 ：
CN1026133C
授权日 ：
1994-10-05
发明人 ：
松山深照
申请人 ：
佳能株式会社
申请人地址 ：
日本东京都
代理机构 ：
中国国际贸易促进委员会专利商标事务所
代理人 ：
邓明
优先权 ：
CN89108774.5
主分类号 ：
C23C16/48
IPC分类号 ：
C23C16/48 C23C16/54
IPC结构图谱
C
C部——化学；冶金
C23
对金属材料的镀覆；用金属材料对材料的镀覆；表面化学处理；金属材料的扩散处理；真空蒸发法、溅射法、离子注入法或化学气相沉积法的一般镀覆；金属材料腐蚀或积垢的一般抑制
C23C
对金属材料的镀覆；用金属材料对材料的镀覆；表面扩散法，化学转化或置换法的金属材料表面处理；真空蒸发法、溅射法、离子注入法或化学气相沉积法的一般镀覆
C23C16/00
通过气态化合物分解且表面材料的反应产物不留存于镀层中的化学镀覆，例如化学气相沉积工艺
C23C16/44
以镀覆方法为特征的
C23C16/48
辐射法，例如光分解、辐射分解、粒子辐射
法律状态
2010-01-20 ：
专利权的终止(未缴年费专利权终止)
2002-04-24 ：
其他有关事项
1994-10-05 ：
授权
1992-03-11 ：
实质审查请求已生效的专利申请
1990-06-27 ：
公开
注：本法律状态信息仅供参考，即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
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