一种微波等离子体化学气相沉积装置
授权
摘要
本实用新型涉及一种微波等离子体化学气相沉积装置，包括：相互连接的波导装置和反应腔，其中，波导装置包括微波天线，微波天线包括进气管、水冷结构、天线下盘和分气盘，其中，水冷结构套设在进气管的外部；分气盘设置在天线下盘的下端；进气管的下端穿过天线下盘与分气盘连接；反应腔设置在波导装置下方，天线下盘位于反应腔内部。本实用新型的微波等离子体化学气相沉积装置，微波天线与反应腔直接相连，不用额外设置介质窗口，微波辐射直接传递至反应腔中，可以降低微波能量损失。
基本信息
专利标题 ：
一种微波等离子体化学气相沉积装置
专利标题（英）：
暂无
公开（公告）号 ：
暂无
申请号 ：
CN202021593724.9
公开（公告）日 ：
暂无
申请日 ：
2020-08-04
授权号 ：
CN212955342U
授权日 ：
2021-04-13
发明人 ：
任泽阳张金风吴勇王东操焰崔傲郝跃
申请人 ：
西安电子科技大学芜湖研究院
申请人地址 ：
安徽省芜湖市弋江区高新技术产业开发区服务外包产业园4号楼1205室
代理机构 ：
西安嘉思特知识产权代理事务所(普通合伙)
代理人 ：
刘长春
优先权 ：
CN202021593724.9
主分类号 ：
C23C16/511
IPC分类号 ：
C23C16/511 C23C16/27
IPC结构图谱
C
C部——化学；冶金
C23
对金属材料的镀覆；用金属材料对材料的镀覆；表面化学处理；金属材料的扩散处理；真空蒸发法、溅射法、离子注入法或化学气相沉积法的一般镀覆；金属材料腐蚀或积垢的一般抑制
C23C
对金属材料的镀覆；用金属材料对材料的镀覆；表面扩散法，化学转化或置换法的金属材料表面处理；真空蒸发法、溅射法、离子注入法或化学气相沉积法的一般镀覆
C23C16/00
通过气态化合物分解且表面材料的反应产物不留存于镀层中的化学镀覆，例如化学气相沉积工艺
C23C16/44
以镀覆方法为特征的
C23C16/50
借助放电的
C23C16/511
采用微波放电
法律状态
2021-04-13 ：
授权
注：本法律状态信息仅供参考，即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
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