一种微波等离子体化学气相沉积装置
授权
摘要
本实用新型涉及一种微波等离子体化学气相沉积装置，包括：与生长平台连接的带水冷的旋转升降机构，带水冷的旋转升降机构包括主轴、升降机构、旋转机构和冷却机构，其中，主轴与生长平台连接；升降机构与主轴连接，以驱动主轴带动生长平台在反应腔内上下移动；旋转机构与主轴连接，以驱动主轴带动生长平台在反应腔内做旋转运动；冷却机构与主轴连接，用于对生长平台进行水冷散热。本实用新型的微波等离子体化学气相沉积装置，设置有与生长平台连接的带水冷的旋转升降机构，在制备金刚石膜时，可以为化学气相沉积工艺提供稳定的生长平台，避免了金刚石膜出现生长不均匀的现象，采用水冷散热，避免了由于采用冷却空气散热对电磁波产生微扰。
基本信息
专利标题 ：
一种微波等离子体化学气相沉积装置
专利标题（英）：
暂无
公开（公告）号 ：
暂无
申请号 ：
CN202021593741.2
公开（公告）日 ：
暂无
申请日 ：
2020-08-04
授权号 ：
CN213142184U
授权日 ：
2021-05-07
发明人 ：
牛进毅苗岱
申请人 ：
山西云矽电子科技有限公司
申请人地址 ：
山西省太原市小店区康宁街康宁大厦(山西国际商务中心)A座2406室(入驻太原博皓商务秘书服务有限公司105号)
代理机构 ：
西安嘉思特知识产权代理事务所(普通合伙)
代理人 ：
刘长春
优先权 ：
CN202021593741.2
主分类号 ：
C23C16/458
IPC分类号 ：
C23C16/458 C23C16/27
IPC结构图谱
C
C部——化学；冶金
C23
对金属材料的镀覆；用金属材料对材料的镀覆；表面化学处理；金属材料的扩散处理；真空蒸发法、溅射法、离子注入法或化学气相沉积法的一般镀覆；金属材料腐蚀或积垢的一般抑制
C23C
对金属材料的镀覆；用金属材料对材料的镀覆；表面扩散法，化学转化或置换法的金属材料表面处理；真空蒸发法、溅射法、离子注入法或化学气相沉积法的一般镀覆
C23C16/00
通过气态化合物分解且表面材料的反应产物不留存于镀层中的化学镀覆，例如化学气相沉积工艺
C23C16/44
以镀覆方法为特征的
C23C16/458
在反应室中支承基体的方法
法律状态
2021-05-07 ：
授权
注：本法律状态信息仅供参考，即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
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