双直流等离子体化学气相沉积装置
专利权的终止未缴年费专利权终止
摘要
本发明为一种双直流等离子体化学气相沉积装置，在现有直流等离子体化学气相沉积的基础上，增设一套对工件加热的电极，使镀膜时，工件的温度参数摆脱了其它参数的限制，实现了各参数的独立控制，从而使不同形状、不同体积的工件均能得到均匀的加热温度，避免了膜层脱落，污染和出现针孔等现象，使膜层的性能得到改善，同时使工作电压能够始终保持在辉光放电阶段，不会由于产生弧光而使膜层形成熔斑，镀膜参数的调整和确定也得到简化。
基本信息
专利标题 ：
双直流等离子体化学气相沉积装置
专利标题（英）：
暂无
公开（公告）号 ：
CN1055565A
申请号 ：
CN90105087.3
公开（公告）日 ：
1991-10-23
申请日 ：
1990-04-07
授权号 ：
CN1032769C
授权日 ：
1996-09-11
发明人 ：
李孟春赵乃石赵小军王京国
申请人 ：
李孟春;赵乃石
申请人地址 ：
110042辽宁省沈阳市大东区莲花街北里一号
代理机构 ：
沈阳市专利事务所
代理人 ：
于菲
优先权 ：
CN90105087.3
主分类号 ：
C23C16/50
IPC分类号 ：
C23C16/50
IPC结构图谱
C
C部——化学；冶金
C23
对金属材料的镀覆；用金属材料对材料的镀覆；表面化学处理；金属材料的扩散处理；真空蒸发法、溅射法、离子注入法或化学气相沉积法的一般镀覆；金属材料腐蚀或积垢的一般抑制
C23C
对金属材料的镀覆；用金属材料对材料的镀覆；表面扩散法，化学转化或置换法的金属材料表面处理；真空蒸发法、溅射法、离子注入法或化学气相沉积法的一般镀覆
C23C16/00
通过气态化合物分解且表面材料的反应产物不留存于镀层中的化学镀覆，例如化学气相沉积工艺
C23C16/44
以镀覆方法为特征的
C23C16/50
借助放电的
法律状态
2001-05-30 ：
专利权的终止未缴年费专利权终止
1996-09-11 ：
授权
1991-10-23 ：
公开
1991-07-17 ：
实质审查请求已生效的专利申请
注：本法律状态信息仅供参考，即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
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