硅化合物和使用其沉积膜的方法
公开
摘要
一种用于制备介电膜的化学气相沉积方法，该方法包括：将衬底提供到反应室中；将气态试剂引入反应室中，其中气态试剂包含硅前体，该硅前体包含具有如本文所定义的式RnH4‑nSi的硅化合物，并向反应室中的气态试剂施加能量以诱导气态试剂反应而在衬底上沉积膜。所沉积的膜适合于其预期用途，而无需对如此沉积的膜施加可选的另外的固化步骤。
基本信息
专利标题 ：
硅化合物和使用其沉积膜的方法
专利标题（英）：
暂无
公开（公告）号 ：
CN114424324A
申请号 ：
CN202080064624.3
公开（公告）日 ：
2022-04-29
申请日 ：
2020-08-14
授权号 ：
暂无
授权日 ：
暂无
发明人 ：
R·N·弗蒂斯S·K·拉贾拉曼W·R·恩特雷J·L·A·阿赫特伊勒R·G·里德格韦
申请人 ：
弗萨姆材料美国有限责任公司
申请人地址 ：
美国亚利桑那州
代理机构 ：
北京市金杜律师事务所
代理人 ：
吴亦华
优先权 ：
CN202080064624.3
主分类号 ：
H01L21/312
IPC分类号 ：
H01L21/312 C23C16/56 C07F7/08
IPC结构图谱
H
H部——电学
H01
基本电气元件
H01L
半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21/00
专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21/02
半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21/04
至少具有一个跃变势垒或表面势垒的器件，例如PN结、耗尽层、载体集结层
H01L21/18
器件有由周期表Ⅳ族元素或含有/不含有杂质的AⅢBⅤ族化合物构成的半导体，如掺杂材料
H01L21/30
用H01L21/20至H01L21/26各组不包含的方法或设备处理半导体材料的
H01L21/31
在半导体材料上形成绝缘层的，例如用于掩膜的或应用光刻技术的；以及这些层的后处理；这些层的材料的选择
H01L21/312
有机层，例如光刻胶
法律状态
2022-04-29 ：
公开
注：本法律状态信息仅供参考，即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
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