使用脉冲ALD技术在衬底上沉积薄膜的方法
专利权人的姓名或者名称、地址的变更
摘要

本发明提供一种使用脉冲馈送处理在衬底上沉积薄膜的方法。所述方法包括执行将第二反应气体连续馈送入其中安装有所述衬底的腔室中的第二反应气体连续馈送处理,和在所述第二反应气体连续馈送处理期间执行多次处理周期,其包括将第一反应气体馈送入所述腔室中的第一反应气体馈送处理和清除并不依附在衬底上的第一反应气体的第一反应气体清除处理。所述第二反应气体连续馈送处理包括在所述第一反应气体清除处理期间以大于基本流量的脉冲流量馈送所述第二反应气体的第二反应气体脉冲处理。

基本信息
专利标题 :
使用脉冲ALD技术在衬底上沉积薄膜的方法
专利标题(英):
暂无
公开(公告)号 :
CN1834289A
申请号 :
CN200610064869.8
公开(公告)日 :
2006-09-20
申请日 :
2006-03-16
授权号 :
暂无
授权日 :
暂无
发明人 :
朴永薰李相奎李起薰徐泰旭
申请人 :
株式会社IPS
申请人地址 :
韩国京畿道
代理机构 :
北京连和连知识产权代理有限公司
代理人 :
胡光星
优先权 :
CN200610064869.8
主分类号 :
C23C16/448
IPC分类号 :
C23C16/448  C23C16/52  C23C16/34  H01L21/365  
IPC结构图谱
C
C部——化学;冶金
C23
对金属材料的镀覆;用金属材料对材料的镀覆;表面化学处理;金属材料的扩散处理;真空蒸发法、溅射法、离子注入法或化学气相沉积法的一般镀覆;金属材料腐蚀或积垢的一般抑制
C23C
对金属材料的镀覆;用金属材料对材料的镀覆;表面扩散法,化学转化或置换法的金属材料表面处理;真空蒸发法、溅射法、离子注入法或化学气相沉积法的一般镀覆
C23C16/00
通过气态化合物分解且表面材料的反应产物不留存于镀层中的化学镀覆,例如化学气相沉积工艺
C23C16/44
以镀覆方法为特征的
C23C16/448
产生反应气流的方法,例如通过母体材料的蒸发或升华
法律状态
2016-08-17 :
专利权人的姓名或者名称、地址的变更
号牌文件类型代码 : 1602
号牌文件序号 : 101737333003
IPC(主分类) : C23C 16/448
专利号 : ZL2006100648698
变更事项 : 专利权人
变更前 : 圆益IPS股份有限公司
变更后 : 圆益控股股份有限公司
变更事项 : 地址
变更前 : 韩国京畿道
变更后 : 韩国京畿道平泽市漆怪街78-40(芝制洞)
2016-08-17 :
专利申请权、专利权的转移
专利权的转移号牌文件类型代码 : 1602
号牌文件序号 : 101737333004
IPC(主分类) : C23C 16/448
专利号 : ZL2006100648698
登记生效日 : 20160726
变更事项 : 专利权人
变更前权利人 : 圆益控股股份有限公司
变更后权利人 : 圆益IPS股份有限公司
变更事项 : 地址
变更前权利人 : 韩国京畿道平泽市漆怪街78-40(芝制洞)
变更后权利人 : 韩国京畿道平泽市振威面振威产团路75
2012-02-22 :
专利申请权、专利权的转移
专利权的转移号牌文件类型代码 : 1602
号牌文件序号 : 101288320993
IPC(主分类) : C23C 16/448
专利号 : ZL2006100648698
变更事项 : 专利权人
变更前权利人 : 株式会社IPS
变更后权利人 : 圆益IPS股份有限公司
变更事项 : 地址
变更前权利人 : 韩国京畿道
变更后权利人 : 韩国京畿道
登记生效日 : 20120111
2009-12-16 :
授权
2006-12-20 :
实质审查的生效
2006-09-20 :
公开
注:本法律状态信息仅供参考,即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
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