一种PECVD薄膜沉积脉冲调制射频装置
授权
摘要
本实用新型涉及一种PECVD薄膜沉积脉冲调制射频装置，包括箱体，所述箱体底部固定安装有支腿，所述箱体的外表面固定安装有控制器，所述箱体的左侧外表面固定安装有散热结构；所述散热结构包括位于箱体左侧外表面的通风口，所述箱体的内顶壁固定安装有电机。该PECVD薄膜沉积脉冲调制射频装置，通过设置温度检测器，通过设定温度检测器检测箱体内部的温度高度和检测温度低度，通过设置控制器可以控制和驱动电机和冷却机的工作，当温度检测器检测到箱体内的温度高度高于设定检测温度时，温度检测器将信号传输至控制器，控制器控制冷却机和抽气机工作，冷却机工作制冷，对箱体内腔温度进行降温，抽气机将箱体外部的空气吸入箱体的内部。
基本信息
专利标题 ：
一种PECVD薄膜沉积脉冲调制射频装置
专利标题（英）：
暂无
公开（公告）号 ：
暂无
申请号 ：
CN202122988750.2
公开（公告）日 ：
暂无
申请日 ：
2021-12-01
授权号 ：
CN216550699U
授权日 ：
2022-05-17
发明人 ：
王硕
申请人 ：
苏州光筑激光设备有限公司
申请人地址 ：
江苏省苏州市苏州工业园区东旺路8号6幢1楼107室
代理机构 ：
北京中政联科专利代理事务所(普通合伙)
代理人 ：
邵娟
优先权 ：
CN202122988750.2
主分类号 ：
C23C16/52
IPC分类号 ：
C23C16/52 C23C16/505 C23C16/44
IPC结构图谱
C
C部——化学；冶金
C23
对金属材料的镀覆；用金属材料对材料的镀覆；表面化学处理；金属材料的扩散处理；真空蒸发法、溅射法、离子注入法或化学气相沉积法的一般镀覆；金属材料腐蚀或积垢的一般抑制
C23C
对金属材料的镀覆；用金属材料对材料的镀覆；表面扩散法，化学转化或置换法的金属材料表面处理；真空蒸发法、溅射法、离子注入法或化学气相沉积法的一般镀覆
C23C16/00
通过气态化合物分解且表面材料的反应产物不留存于镀层中的化学镀覆，例如化学气相沉积工艺
C23C16/44
以镀覆方法为特征的
C23C16/52
镀覆工艺的控制或调整
法律状态
2022-05-17 ：
授权
注：本法律状态信息仅供参考，即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
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