选择性碳沉积
实质审查的生效
摘要
一种在处理室中将碳沉积在衬底上的方法包括：将所述衬底布置在所述处理室中的衬底支撑件上。所述衬底包括形成在所述衬底的至少一个下伏层上的具有第一厚度的碳膜。所述方法还包括实施第一蚀刻步骤以蚀刻所述衬底从而在衬底上形成特征，去除部分所述碳膜并且减小所述碳膜的所述第一厚度；选择性地将碳沉积到所述碳膜的剩余部分上；以及实施至少一个第二蚀刻步骤以蚀刻所述衬底，从而完成在所述衬底上形成所述特征。
基本信息
专利标题 ：
选择性碳沉积
专利标题（英）：
暂无
公开（公告）号 ：
CN114270476A
申请号 ：
CN202080059201.2
公开（公告）日 ：
2022-04-01
申请日 ：
2020-06-22
授权号 ：
暂无
授权日 ：
暂无
发明人 ：
阿维尼什·古普塔阿德里安·拉沃伊巴特·J·范施拉芬迪克萨曼莎·西亚姆华·坦
申请人 ：
朗姆研究公司
申请人地址 ：
美国加利福尼亚州
代理机构 ：
上海胜康律师事务所
代理人 ：
李献忠
优先权 ：
CN202080059201.2
主分类号 ：
H01L21/02
IPC分类号 ：
H01L21/02 C23C16/02 C23C16/04 C23C16/26 C23C16/455 C23C16/56
IPC结构图谱
H
H部——电学
H01
基本电气元件
H01L
半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21/00
专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21/02
半导体器件或其部件的制造或处理
法律状态
2022-04-19 ：
实质审查的生效
IPC(主分类) : H01L 21/02
申请日 : 20200622
申请日 : 20200622
2022-04-01 ：
公开
注：本法律状态信息仅供参考，即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
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