使用沉积和去除进行的选择性层形成
授权
摘要
提供了相对于预先沉积于第二表面上的钝化层在衬底的第一表面上选择性沉积介电膜的方法和系统。所述方法可以包括至少一个循环沉积过程，其用于在所述第一表面上沉积材料，同时去除所述钝化层，从而防止在所述钝化层上沉积。
基本信息
专利标题 ：
使用沉积和去除进行的选择性层形成
专利标题（英）：
暂无
公开（公告）号 ：
CN110444476A
申请号 ：
CN201910359770.8
公开（公告）日 ：
2019-11-12
申请日 ：
2019-04-30
授权号 ：
CN110444476B
授权日 ：
2022-04-19
发明人 ：
E·托伊斯V·波雷
申请人 ：
ASMIP控股有限公司
申请人地址 ：
荷兰，阿尔梅勒
代理机构 ：
北京纪凯知识产权代理有限公司
代理人 ：
王永伟
优先权 ：
CN201910359770.8
主分类号 ：
H01L21/316
IPC分类号 ：
H01L21/316
IPC结构图谱
H
H部——电学
H01
基本电气元件
H01L
半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21/00
专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21/02
半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21/04
至少具有一个跃变势垒或表面势垒的器件，例如PN结、耗尽层、载体集结层
H01L21/18
器件有由周期表Ⅳ族元素或含有/不含有杂质的AⅢBⅤ族化合物构成的半导体，如掺杂材料
H01L21/30
用H01L21/20至H01L21/26各组不包含的方法或设备处理半导体材料的
H01L21/31
在半导体材料上形成绝缘层的，例如用于掩膜的或应用光刻技术的；以及这些层的后处理；这些层的材料的选择
H01L21/314
无机层
H01L21/316
由氧化物或玻璃状氧化物或以氧化物为基础的玻璃组成的无机层
法律状态
2022-04-19 ：
授权
2021-05-07 ：
实质审查的生效
IPC(主分类) : H01L 21/316
申请日 : 20190430
申请日 : 20190430
2019-11-12 ：
公开
注：本法律状态信息仅供参考，即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
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