制造绝缘体上硅锗的方法

实质审查的生效

摘要

本发明涉及制造绝缘体上硅锗的方法。所公开的方法适合于制造绝缘体上SiGe结构。根据该方法的一些实施例，在包括超薄硅顶层的绝缘体上硅衬底上沉积包含SiGe的层。在一些实施例中，通过外延沉积来沉积所述包含SiGe的层。在一些实施例中，SiGe外延层是高质量的，因为它是通过在Si/掩埋氧化物界面处设计应变弛豫而产生的。在一些实施例中，该方法实现了在弱键合到下伏氧化物的数个单层厚Si层上生长的SiGe的弹性应变弛豫。

基本信息

专利标题：

制造绝缘体上硅锗的方法

专利标题（英）：

暂无

公开（公告）号：

CN114496732A

申请号：

CN202210094008.3

公开（公告）日：

2022-05-13

申请日：

2016-05-18

授权号：

暂无

授权日：

暂无

发明人：

S·G·托马斯G·王

申请人：

环球晶圆股份有限公司

申请人地址：

中国台湾新竹市科学工业园区工业东二路8号

代理机构：

北京市中咨律师事务所

代理人：

贺月娇

优先权：

CN202210094008.3

主分类号：

H01L21/02

IPC分类号：

H01L21/02 H01L21/3065 H01L21/762

IPC结构图谱

H部——电学

H01

基本电气元件

H01L

半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件

H01L21/00

专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备

H01L21/02

半导体器件或其部件的制造或处理

法律状态

2022-05-31 ：

实质审查的生效

IPC(主分类) : H01L 21/02
申请日 : 20160518

2022-05-13 ：

公开

注：本法律状态信息仅供参考，即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。

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