绝缘体上覆锗型晶片的制造方法
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摘要
本发明涉及绝缘体上覆锗型晶片的制造方法，该方法包括以下步骤：提供锗基材或包含外延锗层的基材，在所述锗基材的一个主表面上或该主表面内提供电介质层，将所述源基材附着在操作基材上以形成源－操作－化合物和在预先设置在源基材内并基本与所述主表面平行的预定分离区将所述基材从源－操作－化合物上拆分，从而制造绝缘体上覆锗型晶片。为改善电介质薄膜的品质并同时实现更具有成本效益的制造工艺，本发明提出在所述锗基材和所述操作基材之间提供锗氮氧化物层作为电介质层。
基本信息
专利标题 ：
绝缘体上覆锗型晶片的制造方法
专利标题（英）：
暂无
公开（公告）号 ：
CN1776886A
申请号 ：
CN200510123683.0
公开（公告）日 ：
2006-05-24
申请日 ：
2005-11-18
授权号 ：
暂无
授权日 ：
暂无
发明人 ：
康斯坦丁·布德尔法布里斯·勒泰特布鲁斯·富尔克里斯托夫·莫拉莱斯克里斯特洛·德盖
申请人 ：
硅绝缘体技术有限公司;法国原子能委员会
申请人地址 ：
法国伯涅尼
代理机构 ：
北京三友知识产权代理有限公司
代理人 ：
丁香兰
优先权 ：
CN200510123683.0
主分类号 ：
H01L21/00
IPC分类号 ：
H01L21/00 H01L21/762
IPC结构图谱
H
H部——电学
H01
基本电气元件
H01L
半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21/00
专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
法律状态
2009-03-25 ：
授权
2006-07-19 ：
实质审查的生效
2006-05-24 ：
公开
注：本法律状态信息仅供参考，即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
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1、
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