化合物材料晶片的制造方法
专利权人的姓名或者名称、地址的变更
摘要
本发明涉及包括以下步骤的化合物材料晶片的制造方法：提供初始施体基材(1)，在初始施体基材(1)内形成预定的分离区(4)，将初始施体基材(1)附着在操作基材(2)上，和在预定的分离区(4)对施体基材(1)进行拆分，从而将施体基材(1)的层(6)转移至操作基材(2)上以形成化合物材料晶片(10)。为改善该方法的成本效率，该方法还包括在拆分步骤之后将层(12)沉积在施体基材的残余部分(9)上以至少部分地恢复所述初始施体基材(1)的厚度和再次使用具有沉积层(12)的施体基材(1)作为步骤a)中的初始施体基材(1)。本发明还涉及至少包括根据所述方法制造的化合物材料晶片部件的电子学、光电子学或光学元件。
基本信息
专利标题 ：
化合物材料晶片的制造方法
专利标题（英）：
暂无
公开（公告）号 ：
CN101221895A
申请号 ：
CN200810002207.7
公开（公告）日 ：
2008-07-16
申请日 ：
2005-11-08
授权号 ：
暂无
授权日 ：
暂无
发明人 ：
弗雷德里克·杜蓬
申请人 ：
硅绝缘体技术有限公司
申请人地址 ：
法国伯涅尼
代理机构 ：
北京三友知识产权代理有限公司
代理人 ：
丁香兰
优先权 ：
CN200810002207.7
主分类号 ：
H01L21/00
IPC分类号 ：
H01L21/00 H01L21/02 H01L21/20 H01L21/762 H01L21/84
IPC结构图谱
H
H部——电学
H01
基本电气元件
H01L
半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21/00
专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
法律状态
2014-09-03 ：
专利权人的姓名或者名称、地址的变更
号牌文件类型代码 : 1602
号牌文件序号 : 101704902491
IPC(主分类) : H01L 21/00
专利号 : ZL2008100022077
变更事项 : 专利权人
变更前 : 硅绝缘体技术有限公司
变更后 : 索泰克公司
变更事项 : 地址
变更前 : 法国伯涅尼
变更后 : 法国伯尔宁
号牌文件序号 : 101704902491
IPC(主分类) : H01L 21/00
专利号 : ZL2008100022077
变更事项 : 专利权人
变更前 : 硅绝缘体技术有限公司
变更后 : 索泰克公司
变更事项 : 地址
变更前 : 法国伯涅尼
变更后 : 法国伯尔宁
2014-04-23 ：
授权
2008-09-10 ：
实质审查的生效
2008-07-16 ：
公开
注：本法律状态信息仅供参考，即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
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1、
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