制造绝缘体上的硅结构的半导体器件的方法
专利权的终止
摘要
一种制造绝缘体上硅结构的半导体器件的方法，包括下列步骤：在包括下部硅衬底、埋置氧化物层和上部硅层的晶片上形成基底氧化物层，通过离子注入法在埋置氧化物层的预定部分上形成氮氧化合物区域；形成与氮氧化合物区域相交的有源硅层使氮氧化合物区域的一部分暴露在外，并通过湿法蚀刻暴露的氮氧化合物区域形成空腔；在有源硅层的表面上形成栅极绝缘层；围绕所述有源硅层形成填充空腔的多晶硅，并除去多晶硅的预定部分以形成栅极；以及在由栅极分隔的有源硅层上形成源和漏区。
基本信息
专利标题 ：
制造绝缘体上的硅结构的半导体器件的方法
专利标题（英）：
暂无
公开（公告）号 ：
CN1095860A
申请号 ：
CN94102697.3
公开（公告）日 ：
1994-11-30
申请日 ：
1994-02-17
授权号 ：
CN1042578C
授权日 ：
1999-03-17
发明人 ：
李泰福
申请人 ：
三星电子株式会社
申请人地址 ：
韩国京畿道
代理机构 ：
中国国际贸易促进委员会专利商标事务所
代理人 ：
王以平
优先权 ：
CN94102697.3
主分类号 ：
H01L21/336
IPC分类号 ：
H01L21/336 H01L29/784
IPC结构图谱
H
H部——电学
H01
基本电气元件
H01L
半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21/00
专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21/02
半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21/04
至少具有一个跃变势垒或表面势垒的器件，例如PN结、耗尽层、载体集结层
H01L21/18
器件有由周期表Ⅳ族元素或含有/不含有杂质的AⅢBⅤ族化合物构成的半导体，如掺杂材料
H01L21/334
制造单极型器件的台阶式工艺
H01L21/335
场效应晶体管
H01L21/336
带有绝缘栅的
法律状态
2011-04-20 ：
专利权的终止
未缴年费专利权终止号牌文件类型代码 : 1605
号牌文件序号 : 101065089311
IPC(主分类) : H01L 21/336
专利号 : ZL941026973
申请日 : 19940217
授权公告日 : 19990317
终止日期 : 20100217
号牌文件序号 : 101065089311
IPC(主分类) : H01L 21/336
专利号 : ZL941026973
申请日 : 19940217
授权公告日 : 19990317
终止日期 : 20100217
1999-03-17 ：
授权
1996-01-24 ：
实质审查请求的生效
1994-11-30 ：
公开
注：本法律状态信息仅供参考，即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
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