硅晶绝缘体薄型化机台
授权
摘要
本实用新型提供一种硅晶绝缘体薄型化机台，包括输送单元、研磨单元、抛光单元以及蚀刻单元，所述硅晶绝缘体置于所述输送单元上运送，当被所述输送单元送经所述研磨单元时，由所述研磨单元对位于所述硅晶绝缘体顶部的硅层研磨而进行第一阶段薄化，再送经所述抛光单元，而由所述抛光单元对所述硅层抛光而进行第二阶段薄化，接着再送经所述蚀刻单元，而由所述蚀刻单元对所述硅层蚀刻而进行第三阶段薄化，使所述硅晶绝缘体的所述硅层的厚度可由第一、二、三阶段逐渐减薄，以符合所述硅层由厚减薄的范围需求，且避免快速薄化所造成结构断裂或破损的情形发生。
基本信息
专利标题 ：
硅晶绝缘体薄型化机台
专利标题（英）：
暂无
公开（公告）号 ：
暂无
申请号 ：
CN201920874235.1
公开（公告）日 ：
暂无
申请日 ：
2019-06-12
授权号 ：
CN210040141U
授权日 ：
2020-02-07
发明人 ：
黄冠豪李欣真骆玉盛
申请人 ：
华矽创新股份有限公司
申请人地址 ：
中国台湾桃园市
代理机构 ：
广州华进联合专利商标代理有限公司
代理人 ：
景怀宇
优先权 ：
CN201920874235.1
主分类号 ：
H01L21/67
IPC分类号 ：
H01L21/67 H01L21/677 B24B37/04 B24B29/02
IPC结构图谱
H
H部——电学
H01
基本电气元件
H01L
半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21/00
专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21/67
专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
法律状态
2020-02-07 ：
授权
注：本法律状态信息仅供参考，即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
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1、
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