增进晶背散热的薄型封装构造
发明专利申请公布后的视为撤回
摘要
本发明是有关于一种增进晶背散热的薄型封装构造，其包括一基板、一晶片及一封胶体，该基板具有一上表面、一下表面以及一贯通的容晶孔，该晶片容置于该基板的该容晶孔，该晶片具有一主动面及一背面，该主动面形成有复数个焊垫，其电性连接至该基板，该晶片的背面形成有复数个沟槽，该封胶体是形成于该基板的该上表面，并覆盖该晶片的该主动面，而显露该晶片的该背面与该些沟槽，故该些沟槽具有增进晶背导热、增强晶片强度的功效。
基本信息
专利标题 ：
增进晶背散热的薄型封装构造
专利标题（英）：
暂无
公开（公告）号 ：
CN1941336A
申请号 ：
CN200510108092.6
公开（公告）日 ：
2007-04-04
申请日 ：
2005-09-29
授权号 ：
暂无
授权日 ：
暂无
发明人 ：
吴政庭邱士峰潘玉堂陈廷源张育诚苏铭弘
申请人 ：
南茂科技股份有限公司;百慕达南茂科技股份有限公司
申请人地址 ：
中国台湾
代理机构 ：
北京中原华和知识产权代理有限责任公司
代理人 ：
寿宁
优先权 ：
CN200510108092.6
主分类号 ：
H01L23/367
IPC分类号 ：
H01L23/367 H01L23/28 H01L21/56
IPC结构图谱
H
H部——电学
H01
基本电气元件
H01L
半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L23/00
半导体或其他固态器件的零部件
H01L23/34
冷却装置；加热装置；通风装置或温度补偿装置
H01L23/36
为便于冷却或加热对材料或造型的选择，例如散热器
H01L23/367
为便于冷却的器件造型
法律状态
2008-12-10 ：
发明专利申请公布后的视为撤回
2007-05-30 ：
实质审查的生效
2007-04-04 ：
公开
注：本法律状态信息仅供参考，即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
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