键合在绝缘体上硅的减薄方法
专利权的终止未缴年费专利权终止
摘要
键合在绝缘体上硅的减薄方法，先将键合好的SOI硅片进行粗减薄，然后采用集成电路工艺形成欧姆接触，再加上形成耗尽层电压进行阳极腐蚀，腐蚀液为稀释氢氟酸，对于不需要腐蚀的部分，可用黑蜡或黑胶膜密封起来，腐蚀时可加磁搅拌，具有工艺简单，成本低等优点，可取得本体硅的硅膜质量，腐蚀方法对工艺线无污染。
基本信息
专利标题 ：
键合在绝缘体上硅的减薄方法
专利标题（英）：
暂无
公开（公告）号 ：
CN1083625A
申请号 ：
CN92107693.2
公开（公告）日 ：
1994-03-09
申请日 ：
1992-08-31
授权号 ：
CN1028464C
授权日 ：
1995-05-17
发明人 ：
黄庆安张会珍陈军宁童勤义
申请人 ：
东南大学
申请人地址 ：
210018江苏省南京市四牌楼2号
代理机构 ：
东南大学专利事务所
代理人 ：
楼高潮
优先权 ：
CN92107693.2
主分类号 ：
H01L21/306
IPC分类号 ：
H01L21/306
IPC结构图谱
H
H部——电学
H01
基本电气元件
H01L
半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21/00
专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21/02
半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21/04
至少具有一个跃变势垒或表面势垒的器件，例如PN结、耗尽层、载体集结层
H01L21/18
器件有由周期表Ⅳ族元素或含有/不含有杂质的AⅢBⅤ族化合物构成的半导体，如掺杂材料
H01L21/30
用H01L21/20至H01L21/26各组不包含的方法或设备处理半导体材料的
H01L21/302
改变半导体材料的表面物理特性或形状的，例如腐蚀、抛光、切割
H01L21/306
化学或电处理，例如电解腐蚀
法律状态
1997-10-22 ：
专利权的终止未缴年费专利权终止
1995-05-17 ：
授权
1994-03-09 ：
公开
1993-03-10 ：
实质审查请求的生效
注：本法律状态信息仅供参考，即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
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