一种基于绝缘体上硅的低应力硅基厚膜
授权
摘要
本实用新型公开一种基于绝缘体上硅的低应力硅基厚膜，属于半导体制备技术领域。本实用新型所述低应力硅基厚膜包括衬底硅层、硅氧化物层，包覆层和硅基厚膜层，衬底硅层上设有硅氧化物层，硅氧化物层上沉积有硅基厚膜层，硅基厚膜层上设有网格状沟槽，网格状沟槽将硅基薄膜分割成数个独立单元，网格状沟槽内填充有包覆层；本实用新型所述硅基厚膜可以改善厚膜内部所受应力不均匀的情况，减小厚膜应力，增大了所沉积的厚膜的最大厚度，能够实现器件的大规模生产。
基本信息
专利标题 ：
一种基于绝缘体上硅的低应力硅基厚膜
专利标题（英）：
暂无
公开（公告）号 ：
暂无
申请号 ：
CN202021442683.3
公开（公告）日 ：
暂无
申请日 ：
2020-07-21
授权号 ：
CN212609552U
授权日 ：
2021-02-26
发明人 ：
方青胡鹤鸣邵瑶张馨丹顾苗苗陈华陈晓峰
申请人 ：
昆明理工大学;国网上海能源互联网研究院有限公司;哈尔滨众达电子有限公司
申请人地址 ：
云南省昆明市五华区学府路253号（昆明理工大学）
代理机构 ：
昆明人从众知识产权代理有限公司
代理人 ：
何娇
优先权 ：
CN202021442683.3
主分类号 ：
B81C1/00
IPC分类号 ：
B81C1/00 B81B7/02 H01L21/02 H01L21/3105 H01L21/311
IPC结构图谱
B
B部——作业；运输
B81
微观结构技术
B81C
专门适用于制造或处理微观结构的装置或系统的方法或设备
B81C1/00
在基片内或其上制造或处理的装置或系统
法律状态
2021-02-26 ：
授权
注：本法律状态信息仅供参考，即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
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