一种基于应力硅的硅基电光调制器

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摘要

本实用新型公开了一种基于应力硅的硅基电光调制器，包括：阴极，所述阴极沿横向依次设置第一重掺杂区、第一中等掺杂区及第一轻掺杂区，其中所述第一轻掺杂区包括一体成形且互相垂直的平板区一及凸条区一；阳极，所述阳极沿横向依次设置第二重掺杂区、第二中等掺杂区及第二轻掺杂区，其中所述第二轻掺杂区包括一体成形且相互垂直的平板区二及凸条区二，所述第一轻掺杂区的所述凸条区一与所述第二轻掺杂区的所述凸条区二电性连接；压应力薄膜区，所述压应力薄膜区与所述平板区一接触；张应力薄膜区，所述张应力薄膜区与所述平板区二接触；本实用新型利用薄膜应力改变硅晶体中硅原子晶格常数，提高其中电子或空穴的迁移率，降低环路电阻。

基本信息

专利标题：

一种基于应力硅的硅基电光调制器

专利标题（英）：

暂无

公开（公告）号：

暂无

申请号：

CN202021350401.7

公开（公告）日：

暂无

申请日：

2020-07-10

授权号：

CN212623439U

授权日：

2021-02-26

发明人：

周治平李德钊

申请人：

北京爱杰光电科技有限公司;北京大学深圳研究院

申请人地址：

北京市海淀区中关村北大街127-1号一层102-4室

代理机构：

北京睿智保诚专利代理事务所(普通合伙)

代理人：

周新楣

优先权：

CN202021350401.7

主分类号：

G02F1/015

IPC分类号：

G02F1/015 G02F1/01