电光调制器
公开
摘要
一种基于金属氧化物半导体电容器MOSCAP的电光调制器。所述调制器包括：输入波导；调制区域，所述调制区域耦合到所述输入波导；以及输出波导，所述输出波导耦合到所述调制区域。所述调制区域包括n‑i‑p‑n结，所述n‑i‑p‑n结包括：第一n掺杂区域，所述第一n掺杂区域通过本征区域与p掺杂区域间隔开；以及第二n掺杂区域，所述第二n掺杂区域通过所述p掺杂区域与所述本征区域间隔开并且在所述本征区域的与所述第一n掺杂区域相对的一侧上。
基本信息
专利标题 ：
电光调制器
专利标题（英）：
暂无
公开（公告）号 ：
CN114503020A
申请号 ：
CN202080066681.5
公开（公告）日 ：
2022-05-13
申请日 ：
2020-07-23
授权号 ：
暂无
授权日 ：
暂无
发明人 ：
A·斯科菲尔德
申请人 ：
洛克利光子有限公司
申请人地址 ：
英国柴郡
代理机构 ：
中国专利代理(香港)有限公司
代理人 ：
李湘
优先权 ：
CN202080066681.5
主分类号 ：
G02F1/025
IPC分类号 ：
G02F1/025
IPC结构图谱
G
G部——物理
G02
光学
G02F
用于控制光的强度、颜色、相位、偏振或方向的器件或装置，例如转换、选通、调制或解调，上述器件或装置的光学操作是通过改变器件或装置的介质的光学性质来修改的；用于上述操作的技术或工艺；变频；非线性光学；光学逻辑元件；光学模拟/数字转换器
G02F1/00
控制来自独立光源的光的强度、颜色、相位、偏振或方向的器件或装置，例如，转换、选通或调制；非线性光学
G02F1/01
对强度、相位、偏振或颜色的控制
G02F1/015
基于至少有一个跃迁势垒的半导体元件的，例如，PN、PIN结
G02F1/025
在光导设备中的
法律状态
2022-05-13 ：
公开
注：本法律状态信息仅供参考，即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
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