集成ESD多晶硅层的半导体装置
公开
摘要
本发明涉及一种集成ESD多晶硅层的半导体装置，包括设置于半导体基底上的ESD多晶硅层、设置于ESD多晶硅层上的层间介质层和设置于层间介质层上的第一金属电极和第二金属电极，第一金属电极和第二金属电极具有第一间隙，从在半导体基底表面的正投影来看，ESD多晶硅层投影的部分边界线围出至少一个凸出部，第一间隙投影从ESD多晶硅层投影跨过所述部分边界线并延伸到ESD多晶硅层投影的外部，该部分边界线围出的凸出部均落在第一间隙投影内，该半导体装置中，在第一间隙内的层间介质层表面不容易残留将第一金属电极和第二金属电极短路的导电材料，有助于避免第一间隙两侧的第一金属电极和第二金属电极导通，提高半导体装置的可靠性。
基本信息
专利标题 ：
集成ESD多晶硅层的半导体装置
专利标题（英）：
暂无
公开（公告）号 ：
CN114582839A
申请号 ：
CN202210483478.9
公开（公告）日 ：
2022-06-03
申请日 ：
2022-05-06
授权号 ：
暂无
授权日 ：
暂无
发明人 ：
鲁明杰陈一丛茂杰
申请人 ：
绍兴中芯集成电路制造股份有限公司
申请人地址 ：
浙江省绍兴市越城区皋埠镇临江路518号
代理机构 ：
上海思微知识产权代理事务所(普通合伙)
代理人 ：
曹廷廷
优先权 ：
CN202210483478.9
主分类号 ：
H01L23/60
IPC分类号 ：
H01L23/60 H01L23/538
IPC结构图谱
H
H部——电学
H01
基本电气元件
H01L
半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L23/00
半导体或其他固态器件的零部件
H01L23/58
其他组不包含的，用于半导体器件的电结构装置
H01L23/60
防静电荷或放电的保护装置，例如法拉第防护屏
法律状态
2022-06-03 ：
公开
注：本法律状态信息仅供参考，即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
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