一种半导体晶圆晶向测量装置
授权
摘要
本实用新型公开了一种半导体晶圆晶向测量装置，包括晶向测量仪、定位杆和固定框，所述晶向测量仪的上表面安装有固定板，且固定板的两侧对称预留有中间滑槽，所述定位杆设置在固定板的内部，所述固定板的左侧上表面焊接有立柱，且立柱的内部两侧对称开设有内部滑槽，所述固定框焊接在螺纹杆的上表面，所述定向环的内侧通过连接杆与安装板相互连接，且安装板的内部两侧均安装有调节杆，所述立柱的上端内部转动连接有侧边丝杆，且立柱的内部开设有侧边滑槽，所述侧边滑块对称固定在涡轮的外部两侧。该半导体晶圆晶向测量装置，采用新型的结构设计，使得本装置可以固定安装不同外径的晶圆进行测量，并且可以测量晶圆不同位置的晶向指数。
基本信息
专利标题 ：
一种半导体晶圆晶向测量装置
专利标题（英）：
暂无
公开（公告）号 ：
暂无
申请号 ：
CN201921737937.1
公开（公告）日 ：
暂无
申请日 ：
2019-10-16
授权号 ：
CN211122501U
授权日 ：
2020-07-28
发明人 ：
杨阳杨昊杨振华管家辉
申请人 ：
无锡上机数控股份有限公司
申请人地址 ：
江苏省无锡市滨湖区雪浪街道南湖中路158号
代理机构 ：
北京睿博行远知识产权代理有限公司
代理人 ：
张燕平
优先权 ：
CN201921737937.1
主分类号 ：
G01N21/17
IPC分类号 ：
G01N21/17
IPC结构图谱
G
G部——物理
G01
测量；测试
G01N
借助于测定材料的化学或物理性质来测试或分析材料
G01N21/00
利用光学手段，即利用亚毫米波、红外光、可见光或紫外光来测试或分析材料
G01N21/17
入射光根据所测试的材料性质而改变的系统
法律状态
2020-07-28 ：
授权
注：本法律状态信息仅供参考，即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
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