具有硅－锗层的半导体晶片及其制备方法
发明专利申请公布后的视为撤回
摘要
本发明涉及一种半导体晶片，其包括单晶硅层和与该单晶硅层相邻的厚度为d且组成为Si1－xGex的渐变硅－锗层，其中x代表锗的比例，x满足0＜x≤1，此处x的取值随着与所述单晶硅层间距离a的增加而增大，其中在所述渐变硅－锗层表面处的锗的比例x(d)与在所述单晶硅层与所述渐变硅－锗层之间间距的中央处的锗的比例x(d/2)的关系是：x(d/2)＞0.5·x(d)。本发明还涉及对所述半导体晶片的进一步处理，其中将所述半导体晶片的层转移至基底晶片，以及由此制得的半导体晶片。
基本信息
专利标题 ：
具有硅－锗层的半导体晶片及其制备方法
专利标题（英）：
暂无
公开（公告）号 ：
CN1822386A
申请号 ：
CN200610051360.X
公开（公告）日 ：
2006-08-23
申请日 ：
2006-01-05
授权号 ：
暂无
授权日 ：
暂无
发明人 ：
迪尔克·丹兹安德烈亚斯·胡贝尔赖因霍尔德·沃利希
申请人 ：
硅电子股份公司
申请人地址 ：
德国慕尼黑
代理机构 ：
永新专利商标代理有限公司
代理人 ：
于辉
优先权 ：
CN200610051360.X
主分类号 ：
H01L29/161
IPC分类号 ：
H01L29/161 H01L33/00 H01L21/20
法律状态
2009-04-22 ：
发明专利申请公布后的视为撤回
2006-10-18 ：
实质审查的生效
2006-08-23 ：
公开
注：本法律状态信息仅供参考，即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
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