半导体晶片的半导体结构及其形成方法

专利申请权、专利权的转移

摘要

本发明提供一种半导体晶片的半导体结构及其形成方法，具体涉及一种形成双栅极结构的方法，在一第一基底上形成一厚度小于30nm的埋层绝缘层；在埋层绝缘层上形成一第二基底；在第二基底上形成一垫层；在垫层上形成一遮罩层；形成一第一沟槽，延伸穿过垫层、第二基底、埋层绝缘层至第一基底中；以一绝缘材料将第一沟槽填满；以一导电材料将绝缘材料中的第二沟槽填满；在第二基底上形成一MOS晶体管。在埋层绝缘层下形成一底部栅极，且自对准于形成在第二基底上的顶部栅极。

基本信息

专利标题：

半导体晶片的半导体结构及其形成方法

专利标题（英）：

暂无

公开（公告）号：

CN1797762A

申请号：

CN200510128422.8

公开（公告）日：

2006-07-05

申请日：

2005-11-24

授权号：

暂无

授权日：

暂无

发明人：

陈豪育徐祖望彭宝庆杨富量

申请人：

中国台湾积体电路制造股份有限公司

申请人地址：

台湾新竹科学工业园区

代理机构：

北京林达刘知识产权代理事务所

代理人：

刘新宇

优先权：

CN200510128422.8

主分类号：

H01L23/522

IPC分类号：

H01L23/522 H01L21/768

IPC结构图谱

H部——电学

H01

基本电气元件

H01L

半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件

H01L23/00

半导体或其他固态器件的零部件

H01L23/52

用于在处于工作中的器件内部从一个组件向另一个组件通电的装置

H01L23/522

包含制作在半导体本体上的多层导电的和绝缘的结构的外引互连装置的

法律状态

2019-01-11 ：

专利申请权、专利权的转移

专利权的转移IPC(主分类) : H01L 23/522
登记生效日 : 20181224
变更事项 : 专利权人
变更前权利人 : 台湾积体电路制造股份有限公司
变更后权利人 : 台积电（南京）有限公司
变更事项 : 地址
变更前权利人 : 中国台湾新竹市
变更后权利人 : 江苏省南京市浦口经济开发区紫峰路16号

2008-04-02 ：

授权

2006-10-11 ：

实质审查的生效

2006-09-27 ：

发明专利申请公开说明书更正

卷 : 22
号 : 27
页码 : 扉页
更正项目 : 地址
误 : 中国台湾新竹科学工业园区
正 : 中国台湾新竹市

2006-09-27 ：

发明专利申请公开说明书更正

卷 : 22
号 : 27
页码 : 扉页
更正项目 : 申请人
误 : 中国台湾积体电路制造股份有限公司
正 : 台湾积体电路制造股份有限公司

2006-09-27 ：

发明专利公报更正

卷 : 22
号 : 27
页码 : 483
更正项目 : 地址
误 : 中国台湾新竹科学工业园区
正 : 中国台湾新竹市

2006-09-27 ：

发明专利公报更正

卷 : 22
号 : 27
页码 : 483
更正项目 : 申请人
误 : 中国台湾积体电路制造股份有限公司
正 : 台湾积体电路制造股份有限公司

2006-08-30 ：

实质审查的生效

2006-07-05 ：

公开

注：本法律状态信息仅供参考，即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。

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