在半导体晶片上制备钨的方法
实质审查的生效
摘要
本发明涉及一种在半导体晶片上制备钨的方法。该方法中，利用化学气相沉积在半导体晶片的第一表面沉积钨，所述半导体晶片的与所述第一表面相对的第二表面即背面贴附在基座上，并且在体生长阶段插入至少一次热退火操作，通过所述热退火操作可以缓解沉积在半导体晶片上的钨积聚的应力，降低半导体晶片的翘曲风险，减少化学气相沉积的工艺气体对半导体晶片背面的破坏，达到保护晶片背面的目的。
基本信息
专利标题 ：
在半导体晶片上制备钨的方法
专利标题（英）：
暂无
公开（公告）号 ：
CN114420533A
申请号 ：
CN202111491362.1
公开（公告）日 ：
2022-04-29
申请日 ：
2021-12-08
授权号 ：
暂无
授权日 ：
暂无
发明人 ：
李振亚王鹏王敏高尚
申请人 ：
武汉新芯集成电路制造有限公司
申请人地址 ：
湖北省武汉市东湖开发区高新四路18号
代理机构 ：
上海思微知识产权代理事务所(普通合伙)
代理人 ：
田婷
优先权 ：
CN202111491362.1
主分类号 ：
H01L21/02
IPC分类号 ：
H01L21/02 H01L21/768 C23C16/06 C23C16/56
IPC结构图谱
H
H部——电学
H01
基本电气元件
H01L
半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21/00
专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21/02
半导体器件或其部件的制造或处理
法律状态
2022-05-20 ：
实质审查的生效
IPC(主分类) : H01L 21/02
申请日 : 20211208
申请日 : 20211208
2022-04-29 ：
公开
注：本法律状态信息仅供参考，即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
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