用于使用牺牲封盖和绝缘层形成半导体装置的方法
公开
摘要
本公开涉及用于使用牺牲封盖和绝缘层形成半导体装置的方法。制造半导体装置的方法包括：提供包括多个外延层的半导体衬底，所述多个外延层包括沟道层和在所述沟道层上的永久盖，其中所述永久盖限定所述半导体衬底的上表面；以及在所述装置的作用区中在所述永久盖上形成牺牲盖，其中所述牺牲盖包括半导体材料，所述半导体材料包括铝。所述方法还包括：在所述装置的所述作用区中通过执行离子注入过程以将离子注入穿过所述牺牲盖并进入所述半导体衬底而在所述半导体衬底中形成一个或多个载流区(例如，源极区和漏极区)；完全移除所述装置的所述作用区中的所述牺牲盖，同时避免移除所述永久盖；以及在所述一个或多个载流区上形成一个或多个载流触点。
基本信息
专利标题 ：
用于使用牺牲封盖和绝缘层形成半导体装置的方法
专利标题（英）：
暂无
公开（公告）号 ：
CN114335174A
申请号 ：
CN202110810981.6
公开（公告）日 ：
2022-04-12
申请日 ：
2021-07-19
授权号 ：
暂无
授权日 ：
暂无
发明人 ：
黄振华岳远征B·M·格林K·E·摩尔J·A·泰普利克
申请人 ：
恩智浦美国有限公司
申请人地址 ：
美国得克萨斯
代理机构 ：
中国贸促会专利商标事务所有限公司
代理人 ：
张丹
优先权 ：
CN202110810981.6
主分类号 ：
H01L29/778
IPC分类号 ：
H01L29/778 H01L21/335 H01L29/417 H01L29/20 H01L29/08
法律状态
2022-04-12 ：
公开
注：本法律状态信息仅供参考，即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
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