硅覆盖绝缘层装置、晶片及其形成方法
授权
摘要
本发明提供一种硅覆盖绝缘层装置、晶片及其形成方法。具体涉及一种在主动区域上装载简化多晶硅的硅覆盖绝缘层装置，此种装置至少有一介电层抵抗硅化作用，从源极及漏极区分离出至少一个主体接触区，因此可以降低栅极电容以及增加装置效能。本发明所述硅覆盖绝缘层装置、晶片及其形成方法，降低栅极电容及改善装置效能，且可在全消耗型晶体管或部分消耗型晶体管中使用。
基本信息
专利标题 ：
硅覆盖绝缘层装置、晶片及其形成方法
专利标题（英）：
暂无
公开（公告）号 ：
CN1819271A
申请号 ：
CN200510115959.0
公开（公告）日 ：
2006-08-16
申请日 ：
2005-11-11
授权号 ：
暂无
授权日 ：
暂无
发明人 ：
黄绍璋
申请人 ：
台湾积体电路制造股份有限公司
申请人地址 ：
台湾省新竹科学工业园区新竹市力行六路八号
代理机构 ：
北京林达刘知识产权代理事务所
代理人 ：
刘新宇
优先权 ：
CN200510115959.0
主分类号 ：
H01L29/786
IPC分类号 ：
H01L29/786 H01L27/12 H01L21/336 H01L21/84
法律状态
2009-04-08 ：
授权
2006-10-11 ：
实质审查的生效
2006-08-16 ：
公开
注：本法律状态信息仅供参考，即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
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