改善低介电材料层与氮氧化硅层之间介面的方法
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摘要
本发明公开一种改善低介电材料层与氮氧化硅层之间介面的方法，其步骤包含形成一低介电材料层以及在所述低介电(low‑k)材料层上形成与其接触的一氮氧化硅(SiON)层，其中形成所述氮氧化硅层的步骤包含先对所述低介电材料层的表面进行一原位氦处理，接着在同一制作工艺腔体中形成所述氮氧化硅层。
基本信息
专利标题 ：
改善低介电材料层与氮氧化硅层之间介面的方法
专利标题（英）：
暂无
公开（公告）号 ：
CN108807262A
申请号 ：
CN201710355804.7
公开（公告）日 ：
2018-11-13
申请日 ：
2017-05-05
授权号 ：
CN108807262B
授权日 ：
2022-04-22
发明人 ：
杨风波
申请人 ：
联芯集成电路制造（厦门）有限公司;联华电子股份有限公司
申请人地址 ：
福建省厦门市翔安区万家春路八九九号
代理机构 ：
北京市柳沈律师事务所
代理人 ：
陈小雯
优先权 ：
CN201710355804.7
主分类号 ：
H01L21/768
IPC分类号 ：
H01L21/768
相关图片
IPC结构图谱
H
H部——电学
H01
基本电气元件
H01L
半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21/00
专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21/70
由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L21/71
限定在组H01L21／70中的器件的特殊部件的制造
H01L21/768
利用互连在器件中的分离元件间传输电流
法律状态
2022-04-22 ：
授权
2019-03-26 ：
实质审查的生效
IPC(主分类) : H01L 21/768
申请日 : 20170505
申请日 : 20170505
2018-11-13 ：
公开
注：本法律状态信息仅供参考，即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
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1、
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