高深宽比开口及其制作方法

专利权的终止

摘要

一种制作高深宽比接触孔的方法，包括提供半导体衬底，其具有导电区域、接触孔蚀刻停止层，及层间介电层；于该层间介电层上形成一光致抗蚀剂图案，包括一开口，其位于该导电区域的正上方；利用该光致抗蚀剂图案作为蚀刻硬掩模，并利用该接触孔蚀刻停止层为干蚀刻停止层，经由该开口各向异性干蚀刻该层间介电层，形成接触孔上半部部位；去除该光致抗蚀剂图案；以及经由该接触孔上半部部位各向同性干蚀刻该接触孔蚀刻停止层，并形成加宽的接触孔底部，暴露出较大面积的该导电区域。

基本信息

专利标题：

高深宽比开口及其制作方法

专利标题（英）：

暂无

公开（公告）号：

CN1956184A

申请号：

CN200510118414.5

公开（公告）日：

2007-05-02

申请日：

2005-10-28

授权号：

暂无

授权日：

暂无

发明人：

周珮玉廖俊雄

申请人：

联华电子股份有限公司

申请人地址：

中国台湾新竹科学工业园区

代理机构：

北京市柳沈律师事务所

代理人：

陶凤波

优先权：

CN200510118414.5

主分类号：

H01L23/522

IPC分类号：

H01L23/522 H01L21/768 H01L21/311