高纵宽比超宽带超高消光比偏振器
实质审查的生效
摘要
本发明提供了一种高纵宽比超宽带超高消光比偏振器的设计方法，其由介质衬底和单层金属线栅构成，介质衬底为光学材料二氧化硅，介质衬底的上侧为亚波长结构的金属线栅，线偏振泵浦光入射后，借助金属线栅偏振选择特性，仅单一线偏振泵浦光输出；本发明单层金属线栅在研究波段和确定线栅厚度下可100％实现透射强度约70％和高于50dB超高消光比的偏振选择，且集成在光纤时，也可实现透射强度近70％和近50dB超高消光比的偏振选择，所述高纵宽比超宽带超高消光比偏振器提供了一种低成本、易加工、可集成的偏振器，在设计光学器件等领域应用前景广阔。
基本信息
专利标题 ：
高纵宽比超宽带超高消光比偏振器
专利标题（英）：
暂无
公开（公告）号 ：
CN114488380A
申请号 ：
CN202210198807.5
公开（公告）日 ：
2022-05-13
申请日 ：
2022-03-02
授权号 ：
暂无
授权日 ：
暂无
发明人 ：
史金辉秦春花王亦渊刘子莹李玉祥关春颖
申请人 ：
哈尔滨工程大学
申请人地址 ：
黑龙江省哈尔滨市南岗区南通大街145号哈尔滨工程大学科技处知识产权办公室
代理机构 ：
代理人 ：
优先权 ：
CN202210198807.5
主分类号 ：
G02B5/30
IPC分类号 ：
G02B5/30
IPC结构图谱
G
G部——物理
G02
光学
G02B
光学元件、系统或仪器附注
G02B5/00
除透镜外的光学元件
G02B5/30
偏振元件
法律状态
2022-05-31 ：
实质审查的生效
IPC(主分类) : G02B 5/30
申请日 : 20220302
申请日 : 20220302
2022-05-13 ：
公开
注：本法律状态信息仅供参考，即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
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