高纵横比的PN接合及其制作方法
授权
摘要
一种具有高纵横比的PN接合的半导体元件，包括导体层。此半导体元件还包括形成于导体层上的多个第一掺杂区。掺杂区的侧壁经过掺杂而形成PN接合。此半导体元件还包括位于第一掺杂区上的多个第二掺杂区。
基本信息
专利标题 ：
高纵横比的PN接合及其制作方法
专利标题（英）：
暂无
公开（公告）号 ：
CN1797782A
申请号 ：
CN200510123966.5
公开（公告）日 ：
2006-07-05
申请日 ：
2005-11-24
授权号 ：
暂无
授权日 ：
暂无
发明人 ：
吴昭谊李明修
申请人 ：
旺宏电子股份有限公司
申请人地址 ：
台湾省新竹科学工业园区力行路16号
代理机构 ：
北京连和连知识产权代理有限公司
代理人 ：
王昕
优先权 ：
CN200510123966.5
主分类号 ：
H01L29/06
IPC分类号 ：
H01L29/06 H01L21/02
法律状态
2009-04-08 ：
授权
2006-10-25 ：
实质审查的生效
2006-07-05 ：
公开
注：本法律状态信息仅供参考，即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
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