一种集成肖特基二极管结构SiC MOSFET器件
授权
摘要
本实用新型揭示了一种集成肖特基二极管结构SiC MOSFET器件，自下而上包括漏极、SiC衬底、N‑外延层，P阱结构的上表面均设有相互紧邻的N+接触区和P+接触区，两个P阱结构之间设有JEFT区，JEFT区的上表面设有第一N型区域，第一N型区域的上表面设有栅介质层，栅介质层上方设有多晶硅介质层，N+接触区和P+接触区的上表面设有源级，源极旁设有第二N型区域，第二N型区域上面设有肖特基金属。本实用新型的MOSFET器件能够提升器件电流能力，提高二极管的反向耐压以及抗浪涌能力，省去一次光刻工艺步骤，提高了芯片的集成度和可靠性，另外降低了芯片的面积和制作成本。
基本信息
专利标题 ：
一种集成肖特基二极管结构SiC MOSFET器件
专利标题（英）：
暂无
公开（公告）号 ：
暂无
申请号 ：
CN202021474191.2
公开（公告）日 ：
暂无
申请日 ：
2020-07-23
授权号 ：
CN213026139U
授权日 ：
2021-04-20
发明人 ：
史田超乔庆楠朱继红史文华彭强吴良虎李晓东朱小飞左万胜张晓洪
申请人 ：
芜湖启迪半导体有限公司
申请人地址 ：
安徽省芜湖市弋江区高新技术产业开发区服务外包园3号楼1803
代理机构 ：
芜湖安汇知识产权代理有限公司
代理人 ：
朱圣荣
优先权 ：
CN202021474191.2
主分类号 ：
H01L29/78
IPC分类号 ：
H01L29/78 H01L21/04
法律状态
2021-04-20 ：
授权
注：本法律状态信息仅供参考，即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
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