一种肖特基二极管半导体的电荷补偿结构
授权
摘要
本实用新型公开了一种肖特基二极管半导体的电荷补偿结构，涉及电荷补偿技术领域，其包括衬底层，所述衬底层的下表面设置有第二金属层，所述衬底层的上表面设置有补偿区，所述补偿区的正面开设有第二蚀刻槽，所述第二蚀刻槽的内表面设置有氧化层，所述氧化层的内表面设置有多晶导电半导体材料层，所述多晶导电半导体材料层设置在第二蚀刻槽的内表面。该肖特基二极管半导体的电荷补偿结构，通过第一导电半导体材料层、第二导电半导体材料层和多晶导电半导体材料层的共同作用，能够改变漂移区的电场强度分布，从而能够形成平坦的电场强度分布曲线，消除了肖特基器件不能被应用于高压环境的缺点。
基本信息
专利标题 ：
一种肖特基二极管半导体的电荷补偿结构
专利标题（英）：
暂无
公开（公告）号 ：
暂无
申请号 ：
CN201920464090.8
公开（公告）日 ：
暂无
申请日 ：
2019-04-08
授权号 ：
CN209515678U
授权日 ：
2019-10-18
发明人 ：
郭薛健曹爱美谢凯凯胡婷
申请人 ：
深圳市豪林电子有限公司
申请人地址 ：
广东省深圳市龙岗区南湾街道上李朗社区洲腾工业区7栋三楼
代理机构 ：
深圳市道勤知酷知识产权代理事务所(普通合伙)
代理人 ：
何兵
优先权 ：
CN201920464090.8
主分类号 ：
H01L29/872
IPC分类号 ：
H01L29/872 H01L29/06
法律状态
2019-10-18 ：
授权
注：本法律状态信息仅供参考，即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
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