红黄GaAs二极管的外延结构及其制备方法
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摘要
本发明提供一种红黄GaAs二极管的外延结构及其制备方法，该外延结构包括：衬底及在所述衬底上依次向上生长的布拉格反射镜、多量子阱层、P型限制层、P型覆盖层及电流扩展层；其中，所述布拉格反射镜为周期性结构，对所述布拉格反射镜进行Si掺杂且Si掺杂浓度随所述布拉格反射镜结构的生长周期先渐进式递增再渐进式递减，以使所述布拉格反射镜包含N型覆盖层和N型限制层的功能。本发明能够简化外延结构及外延加工工艺，使生产成本更加低廉，且使布拉格反射镜综合了布拉格反射镜结构、N型覆盖层结构及N型限制层结构的功能，能够提高二极管的发光亮度。
基本信息
专利标题 ：
红黄GaAs二极管的外延结构及其制备方法
专利标题（英）：
暂无
公开（公告）号 ：
CN114242858A
申请号 ：
CN202210183371.2
公开（公告）日 ：
2022-03-25
申请日 ：
2022-02-28
授权号 ：
CN114242858B
授权日 ：
2022-05-17
发明人 ：
贾钊窦志珍杨琪马婷胡加辉金从龙顾伟
申请人 ：
江西兆驰半导体有限公司
申请人地址 ：
江西省南昌市南昌高新技术产业开发区天祥北大道1717号
代理机构 ：
南昌旭瑞知识产权代理事务所(普通合伙)
代理人 ：
彭琰
优先权 ：
CN202210183371.2
主分类号 ：
H01L33/10
IPC分类号 ：
H01L33/10 H01L33/02 H01L33/00
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法律状态
2022-05-17 ：
授权
2022-04-12 ：
实质审查的生效
IPC(主分类) : H01L 33/10
申请日 : 20220228
申请日 : 20220228
2022-03-25 ：
公开
注：本法律状态信息仅供参考，即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
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1、
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