一种具有特定图形的发光二极管外延结构及其制备方法
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摘要
本发明公开了一种具有特定图形的发光二极管外延结构及其制备方法，所述外延结构包括GaAs衬底，所述GaAs衬底表面自下而上依次生长GaAs缓冲层、DBR层、N型限制层和多量子阱层，所述多量子阱层表面设有刻蚀区，所述刻蚀区表面蒸镀有绝缘层；所述外延结构还包括P型限制层、P型窗口层和P型欧姆接触层，所述P型限制层、P型窗口层和P型欧姆接触层自下而上依次生长在多量子阱层上。本发明工艺设计合理，操作简单，制备得到具有特定发光图形的二极管外延结构，不仅能代替传统瞄准镜中光源、分划板的组合，提高光源利用率，而且简化了工艺，提高了产品良率，具有较高的实用性。
基本信息
专利标题 ：
一种具有特定图形的发光二极管外延结构及其制备方法
专利标题（英）：
暂无
公开（公告）号 ：
CN112838152A
申请号 ：
CN201911166749.2
公开（公告）日 ：
2021-05-25
申请日 ：
2019-11-25
授权号 ：
CN112838152B
授权日 ：
2022-06-14
发明人 ：
吴向龙闫宝华彭璐王成新徐现刚
申请人 ：
山东浪潮华光光电子股份有限公司
申请人地址 ：
山东省潍坊市高新区金马路9号
代理机构 ：
北京华际知识产权代理有限公司
代理人 ：
张文杰
优先权 ：
CN201911166749.2
主分类号 ：
H01L33/24
IPC分类号 ：
H01L33/24 H01L33/32 H01L33/06 H01L33/00
法律状态
2022-06-14 ：
授权
2021-06-11 ：
实质审查的生效
IPC(主分类) : H01L 33/24
申请日 : 20191125
申请日 : 20191125
2021-05-25 ：
公开
注：本法律状态信息仅供参考，即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
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