微发光二极管结构及制备方法、显示面板
实质审查的生效
摘要
本发明提供一种微发光二极管结构及制备方法、显示面板，所述微发光二极管结构包括：微发光二极管芯片；框架，所述框架包括空腔，所述微发光二极管芯片设置于所述空腔内；以及色转换单元，所述色转换单元设于所述微发光二极管芯片出光面的上方，所述色转换单元包括透明多孔结构层和包覆所述透明多孔结构层的树脂材料层；其中，所述透明多孔结构层的折射率大于所述树脂材料层的折射率。
基本信息
专利标题 ：
微发光二极管结构及制备方法、显示面板
专利标题（英）：
暂无
公开（公告）号 ：
CN114512588A
申请号 ：
CN202210173940.5
公开（公告）日 ：
2022-05-17
申请日 ：
2022-02-25
授权号 ：
暂无
授权日 ：
暂无
发明人 ：
顾杨韦冬李庆于波
申请人 ：
苏州芯聚半导体有限公司
申请人地址 ：
江苏省苏州市自由贸易试验区苏州片区苏州工业园区金鸡湖大道99号苏州纳米城西北区02幢512室
代理机构 ：
苏州威世朋知识产权代理事务所(普通合伙)
代理人 ：
常伟
优先权 ：
CN202210173940.5
主分类号 ：
H01L33/50
IPC分类号 ：
H01L33/50 H01L33/48 H01L27/15
法律状态
2022-06-03 ：
实质审查的生效
IPC(主分类) : H01L 33/50
申请日 : 20220225
申请日 : 20220225
2022-05-17 ：
公开
注：本法律状态信息仅供参考，即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
文件下载
暂无PDF文件可下载
