一种快恢复二极管
授权
摘要
本实用新型提供一种快恢复二极管，快恢复二极管包括衬底、N+阴极区、P+阳极区、寿命控制掺杂层、P+掺杂层、阳极侧电极和阴极侧电极；P+掺杂层位于寿命控制掺杂层内部，寿命控制掺杂层位于P+阳极区内部；阳极侧电极和阴极侧电极分别位于衬底的正面和背面；P+阳极区位于衬底正面且靠近阳极侧电极，N+阴极区位于衬底背面且靠近阴极侧电极。本实用新型降低反向阻断漏电流和正向导通压降，进一步降低了快恢复二极管的损耗，延长了寿命；且通过本实用新型中的寿命控制掺杂层可以有效改善快恢复二极管的电压温度系数。
基本信息
专利标题 ：
一种快恢复二极管
专利标题（英）：
暂无
公开（公告）号 ：
暂无
申请号 ：
CN201921029362.8
公开（公告）日 ：
暂无
申请日 ：
2019-07-03
授权号 ：
CN210325812U
授权日 ：
2020-04-14
发明人 ：
和峰金锐刘钺杨刘江董少华温家良吴军民潘艳
申请人 ：
全球能源互联网研究院有限公司
申请人地址 ：
北京市昌平区未来科技城滨河大道18号
代理机构 ：
北京安博达知识产权代理有限公司
代理人 ：
徐国文
优先权 ：
CN201921029362.8
主分类号 ：
H01L29/868
IPC分类号 ：
H01L29/868 H01L29/167 H01L29/06 H01L21/329
法律状态
2020-04-14 ：
授权
注：本法律状态信息仅供参考，即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
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